高盛认为明年DRAM需求将高于预期,估计美光(Micron Technology)将因此受惠,虽然维持中立评等,但将目标价从29美元调升至32美元。美光股价大受鼓舞,冲上12年新高。
如果你对服务器乃至于数据中心的认识有限的话,那么在储存系统方面的发展,大多应该是停留在传统硬盘(HDD)与固态硬态(SSD)的混搭的印象为主,前者专职冷资料的储存,后者则负责较常使用的热资料的分析与处理,所以在分工上可以较有效率。
近期有消息称三星争夺苹果新世代处理器订单失利。半导体设备厂分析,三星抢单失利将迫使将多余产能转向DRAM或闪存,这样恐对明年下半年内存产业形成新的隐忧。
IC设计厂商创惟表示,最快将于明(2015)年第2季推出支持USB 3.1规格的Type-C控制器芯片解决方案;而在此之前,则会采合作模式和第三方厂商一起推出Type-C集线器和Type-C底部扩充座解决方案。
在20号下午的投资者网络会议上,英特尔透露其将在明年下半年提供基于3D NAND Flash的SSD产品,技术则是来自该公司与美光(Micron)闪存合资企业。
存储器模块大厂美商金士顿(Kingston)正式入股封测厂华泰后,昨(20)日指派台湾区主管进入华泰经营团队,预期将担任副总经理职位。业界表示,金士顿此举代表未来将全力支持华泰,NAND Flash封测及模块订单将交由华泰代工。法人则看好华泰第4季营收将上
根据韩国媒体报道, 当前旗舰手机的存储芯片大多使用eMMC 5.0规范,理论最大传输速度可达400MB/s。考虑到传输速度的局限性,三星内部人士表示,明年三星在下代产品中将采用UFS 2.0规范的存储芯片,其理论传输速度高达1.2GB/s。
南亚科:移动存储占比提升 苹果新品引领高规格存储风潮,将使整体移动存储用量大增,DRAM厂南亚科(2408)估计,移动存储的营收占比,今年底将达15%,等毛利率进一步回升,有可能增加相关出货量。 南亚科第2季的移动存储营收占比近8%,第3季,因消
存储器模组厂商宇瞻第三季获利创近五季新高,累计前三季每股获利2.73元(新台币,下同)。展望第四季,由于迎消费旺季下游备货需求高,营收、获利将再向上,全年每股获利可达3.7-3.9 元。
英特尔在台举办亚洲区创新高峰会,展示和工研院合作开发的新存储器技术,较现有DDR DRAM存储器更省电,耗电降低至少25倍,未来可望为移动运算设备延长电池使用时间。
韩媒指称,由于NAND Flash应用界面标准UFS速度快、功耗又低,据称可望获得三星电子(Samsung Electronics)和小米(Xiaomi)青睐,在2015年新机采用。
首先是2.5吋产品方面,加入了1.2TB以及1.6TB,不过在韧体以及电路设计上并没有任何太大的变动。简单来说,就是在既有的设计下,加入更大以及更多的NAND Flash。
美光在台湾与日本同步升级DRAM制程并增加产出,美光在台主要后段封测厂力成、华东等,积极筹备充裕产能提供支援,伴随美光相关势力产出大增,释出的封测订单同步增加,力成、华东明年营收大补。
威刚公告累计今年前3季税前净利达新台币10.31亿元,税后净利达9.2亿元。展望第4季,在市场供需仍相对平衡的状况下,DRAM合约价可望持平发展,但因通路在下单及库存管理上趋向保守,连带将对第4季出货状况造成压力。
华亚科预期第四季DRAM市场仍平稳,南亚科则估第四季价格小跌3%至5%。展望明年,预计全年仍需求大于供给,市场仍稳定,但价格预估比今年小跌。