2006 年 1 月,Intel 与存储器大厂美光(Micron)携手成立NAND存储器生产制造公司「IMFT」(IM Flash Technologies),IMFT 有 3 间厂房,不过 2012 年 Intel 将新加坡厂房和维吉尼亚州厂房的股份卖给

据韩联社报道,市场研究机构IHS Technology 9日发布的数据显示,三星电子和SK海力士2014年在全球DRAM市场的份额之和为67.7%。这是自2001年起对DRAM市场份额进行全面统计以来韩国企业市场份额的最高纪录。

NAND Flash大厂SanDisk连2季调降财测,包括商用市场需求不振及价格因素,让NAND Flash产业前景蒙上阴霾,对此,群联董事长潘健成却有不同看法,他表示,SanDisk的15纳米制程转换不顺、良率偏低,将让第2季供需情况没有想象中的疲软。

日前,华为推出了新一代企业级PCI-E固态硬盘ES3000 v2,有半高、全高两种尺寸,前者容量为600GB/1.6TB,而后者则有1.2/2.4/3.2TB三种容量。

2015年受三星Galaxy S6和苹果iPhone 6向128GB容量推进影响,智能型手机主流存储快速向32GB、64GB升级,同时平板市场主流需求向32GB转移,智能盒子和电视存储需求也在向8GB提升,再加上物联网驱动下的大数据存储爆发,苹果又引领消费

继全球最大DRAM厂三星推迟Line 17的扩产动作后,第二大厂SK海力士在参加外资论坛时指出,今年将维持总产能不变,不会有新的扩产计划,而第三大厂美光亦无增加DRAM产能打算。由于三大DRAM厂今年均不扩产,第2季价格可望因进入旺季而止跌回升,南亚科 (

3月份受大陆春节假期后市场需求复苏迟缓,以及淡季效应影响,闪存卡价格持续探底,Micro SD 16GB价格跌幅高达24%,4GB、8GB以及32GB价格跌幅也超高10%。闪存卡价格在持续1个多月跌势之后,价格开始止跌上扬,迎来大陆春节假期过后的第一波涨价

NAND Flash控制芯片厂群联电子董事长潘健成对NAND Flash市况看法乐观,预期第2季Flash市场可望平衡。

在三星正式量产3D NAND之后,美光/英特尔、东芝/Sandisk等两大阵营,近日不约而同发表3D NAND制程技术的最新进度,下半年就可开始小量生产并对客户送样,明年上半年就可进入全面量产阶段,而承接两大阵营后段封测业务的力成(6239)将成最大受惠者

英特尔将联合美光科技公司开发适用于智能手机、平板电脑和高端笔记本电脑的闪存技术。新的技术将利用笔记本内存条一半大小的体积提供1TB的存储空间。

东芝宣布推出48层第二代3D NAND Flash,并开始送样出货。东芝表示,48层的第二代3D NAND可增强写入的可靠性/擦除的耐力和提升写入速度,适用与不同要求的存储应用中,尤其是在固态硬盘(SSD)产品上。

在NAND Flash领域,三星和东芝处于龙头地位,无论在技术还是在产品上都一直引领着NAND Flash产业的发展,同时三星和东芝之间的竞争也必不可少,尤其在2015年3D NAND Flash都宣布开始量产的时候。

三星电子(Samsung Electronics)领先全球同业、于去年10月抢先量产3D架构的NAND Flash产品,但三星的领先优势恐维持不了多久,因为三星NAND Flash最大竞争对手东芝(Toshiba)传出将在今年下半年量产3D NAND Fl

三星、SK海力士、美光等三大DRAM厂今年全力冲制20奈米制程微缩,产品线已快速转进至DDR4或LPDDR4,但需求仍然强劲的DDR3或LPDDR3市场,意外成为台湾DRAM厂的新蓝海。

全球最大存储器厂韩国三星电子传出DRAM扩产大减速消息!原本将在今年中量产的Line 17,全产能量产时间将延至年底,且外资圈传出,三星有将近2万片月产能的DRAM设备采购,下单及装机时程均出现明显延后(postpone)情况。

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