据传三星电子和SK海力士(SK Hynix)将大买设备,积极投资3D NAND Flash;另外DRAM也将转进新制程,拉高战力。
DRAM价格受压、美国存储器大厂美光股价持续崩落,又有分析师落井下石,称南韩DRAM双雄供应量增加、恐让价格持续走低。
2D技术再往1ynm以下发展,NAND Flash Die容量很难有明显的提升,良率也会受到影响,而且性能、成本等缺乏竞争力,3D技术开启了NAND Flash技术新时代。三星最早在2013年推出24层3D V-NAND...
DRAM产业在度过上半年淡季之后,寄望下半年市况回温,不过第3季价格恐怕还要面临季跌价幅度超乎预期的情形。法人原预估,PC DRAM本季价格跌幅落在5%至7%,如今评估可能扩大到10%,对于华亚科等厂商可能形成压力。
存储器封测厂力成与美国存储器大厂美光(Micron)合作的西安厂,正在加快建厂脚步,预计第4季可开始试产,明年第1季正式进入量产阶段。
2015年智能型手机向64位、八核发展,其应用功能越来越强大,Android 5.0所需更多的空间存储源代码,用户娱乐、游戏以及客户端数据存储量与日俱增,为了满足消费者日益增长的存储需求...
受智能型手机、平板等需求成长减缓影响,2015年NAND Flash市场成长动力来源于市场对大容量的存储需求,主要是eMMC和SSD容量的增加。
存储器封测厂力成与美国存储器大厂美光(Micron)合作的西安厂,正在加快建厂脚步,预计第4季可开始试产,明年第1季正式进入量产阶段。
您好,随着市场需求的变化,eMCP 4+8 MLC/TLC逐渐退出主流市场,为了更好的反应市场,我们于2015年6月30日起取消eMCP 4+8 MLC/TLC产品报价,敬请留意。
美国存储器大厂美光科技(Micron)公布季报,受到PC走弱影响,净利缩水近4成,对本季展望也仍低于预期。台股华亚科(3474)为美光代工厂,受美光财报不如预期冲击,股价再探底。
NAND Flash、SSD控制芯片、模组和系统厂商正有志一同发展低成本、高容量的三层式储存(TLC)和3D NAND技术,同时也积极推动SSD由现有SATA、PCIe AHCI转向更高速PCIe NVMe界面的新设计,期透过降低成本和提高储存效能的双重手
多家市场金融研究机构近来都给出预测,认为目前几近平稳的内存市场将在下半年刮起降价风暴,原因来自市场供需以及厂商产品引导等多个方面。
随着固态硬盘(SSD)市场渗透率不断拉升,英特尔(Intel)决定全面加码投入SSD战场,不仅将再掀价格战火,更藉由制程技术重大突破,推出消费性市场最高传输速率的新款SSD,供应链业者表示,英特尔即将在SSD市场启动极重要的关键战役,除了拉大在后追赶的竞争
DRAM双雄南亚科与华亚科5月营收均较4月呈现个位数衰退。目前DRAM产业正处于淡季效应递延状态,产品价格持续下滑,也影响业者业绩。
上海中芯国际(SMIC)与英飞凌科技(Infineon Technologies)日前宣布双方正式签订协议,进一步合作生产标准存储器芯片(DRAM)。根据协议,英飞凌将向中芯国际转移0.11微米的DRAM沟槽技术和300mm产品的专有技术。该技术将用于专为