国际半导体产业协会(SEMI)最新报告指出,3D NAND、DRAM与10nm制程等技术投资,将驱动2016年晶圆厂设备支出攀升,预估2016年包括新设备、二手或专属(In-house)设备在内的前段晶圆厂设备支出将增长3.7%,达372亿美元;而2017
前日本尔必达(Elpida Memory)社长坂本幸雄开设IC设计公司Sino King Technology,指出目前半导体业界有四种公司:一,有高度研发生产能力的公司,如英特尔(Intel);二,有高度研发能力如德州仪器(TI)或 Sony;三,强调研
展望DRAM景气,南亚科总经理暨华亚科董事长李培瑛于今(29)日表示,第二季DRAM市况有变好的迹象,加上今年各家DRAM制造商降低资本支出,因此对于DRAM下半年展望乐观看待,预期下半年DRAM供需可望趋于平衡。
由于联网车辆需在车内处理大量资料,因此大幅增加了车用存储器设备与存储系统的需求。随着应用软件技术不断提升,未来的车辆存储器主流,也将从硬盘(HDD)转变成使用NAND Flash的固态硬盘(SSD)。
苹果发布会上推出了4英寸的iPhone SE以及全新9.7寸iPad Pro,iPhone SE外观方面非常类似于iPhone 5s,性能却跟iPhone 6s几乎一致,为钟情经典小屏幕的果粉而设计,存储有16GB和64GB两个版本,其中16GB版3288
中国发展存储器产业再有新进展!中国武汉新芯将建新存储器厂,新厂动土仪式就落在本月 28 日,根据科技新报取得的消息,武汉新芯将建的为 NAND Flash 厂,而非市场谣传的 DRAM厂,据悉,国家集成电路产业发展基金(大基金)与湖北省政府已到位,武汉新芯
东芝(Toshiba)18日公布了2016年度(2016年4月-2017年3月)营运计划,将聚焦增长型业务,扩大在Memory业务上的投资,并加快BiCS Flash(3D NAND)的发展,实现所有业务的稳步增长。
3月15日,闪迪(SanDisk)宣布在股东大会上公司以98%的赞成票批准了西部数据的收购案。与此同时,西部数据发布新闻称,西部数据的股东也批准通过增发西部数据的普通股份来完成收购闪迪的议案。
近日,中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业中芯国际(SMIC),与阻变式存储器(RRAM)技术领导者Crossbar,共同宣布双方就非易失性RRAM开发与制造达成战略合作协议。
2016年Flash原厂将切入1znm(12nm-15nm)投产,并加快向3D NAND技术导入,更具成本优势的NAND Flash是导致闪存产品价格下滑的主要因素。近期受三星推广新制程产品影响,大幅度降低eMMC 16GB和32GB价格以及下调eMCP价
IDC公布最新企业存储市场数据,2015年第4季全球企业存储系统业者营收数据下滑2.2%,达104亿美元;市场前五大业者仅HP Enterprise营收有增长。
在2016年3月初于美国加州举行的开放运算计划(Open Compute Project;OCP) U.S. Summit上,从会中资料可发现,英特尔(Intel)采3D Xpoint技术的固态硬盘(SSD)产品Optane,未来将采用与苹果(Apple)
根据彭博商业(Bloomberg Business)报导,知情人士透露,提供该交易融资的银行团将于3月15日举行投资者会议,寻求60亿美元定期贷款B(TLB)的投资者。TLB通常是由共同基金、对冲基金和担保贷款凭证(Collateralized Loan
金宝集团因应市场需求赴巴西设厂,旗下泰金宝携手、存储封测厂东琳及中国最大的存储模块厂江波龙、群联在巴西合资建设名为CCBS的NAND Flash封装厂。
因不敌三星电子等韩厂蚕食,尔必达于2012年申请破产、之后被美国美光(Micron)收购,而坂本幸雄也成为尔必达的末代社长、在尔必达被美光收购后就辞去社长一职以示负责。不过坂本幸雄要开始踏上复仇之路了,此次将携手台湾、大陆之力,在安徽省合肥打造大规模存储器