英特尔(Intel)和美光科技(Micron)共同发布的高效能存储器芯片3D Xpoint,有机会大幅改变存储市场,分析师认为,3D Xpoint未来可能会取代DRAM而非SSD。

为了提高生产效益,2016上半年上游Flash原厂纷纷加快向1znm/3D NAND技术转换,但因为3D技术量产不顺以及需要更换产线,导致3D NAND产能有限,2D NAND产能供应紧张,以至于NAND Flash整体产出低于预期。

工研院IEK认为,为替代进口,中国大陆发展DRAM已势在必行,未来若中国大陆成功抢进DRAM领域,预期海力士恐将是最大潜在受害者。

中国清华控股有限公司披露持有硅谷芯片制造商Marvell未指明数额的股份,后者最近才因会计调查和其他问题撤换了领导团队。

随着智能型手机功能的越来越强大,用户需要更多的存储容量存应用程序和资料,再加上用户对电影、照片等超高清画质的要求,手机存储空间依然不够用。

巴伦(Barronˋs)6日报导,美系外资芯片设备分析师Atif Malik称,中国透过Rambus和Spansion取得DRAM和NAND存储器的技术授权。2月份,Spansion和武汉新芯(XMC)签订3D NAND研发和交叉授权协定。

2016年大批TLC SSD再次来袭,TLC SSD可谓充斥着整个SSD市场,让人悲喜交加。喜的是TLC SSD加快缩短与HDD的价差,刺激市场需求快速增长,悲的是价格战持续发酵。那么在TLC SSD之后,SSD下一个聚焦点是什么呢?

从2015下半年开始,三星、东芝、SanDisk、创见、江波龙等均陆续发布了TLC SSD产品。由于更多低价的SSD进入市场销售,让2016年SSD市场竞争更加激烈。

2015年Flash原厂1ynm TLC制造工艺规模化量产,且NAND Flash Die容量提升至128Gb,每片Wafer晶圆NAND Flash Die产量增加30%,NAND Flash成本大约可下滑20%,2016年将逐步向1znm或48 层3D

在面对市场价格下滑的压力下,各原厂都在积极应对中,而加快新制程切换以及向3D NAND发展来降低成本是原厂一贯的做法,在这场价格和技术的博弈中,需要市场积极去消化,这样才能推动Memory市场健康发展。

随着SSD和传统HDD之间的价差越来越小,再加上低功耗、抗震、耐高温、多形态尺寸等优势,SSD市场需求快速升温,中国闪存市场网ChinaFlashMarket预计2016年SSD在消费类市场渗透率将达40%-50%,正在逐步吞噬HDD市场。

在Flash原厂NAND Flash工艺提升的驱动下,SSD价格一直以每年平均20%的跌幅在下滑。2016年Flash原厂将向1znm切换和加快投入具有成本优势的48层3D NAND量产,进一步降低NAND Flash成本。

韩媒etnews 19日报导,三星曾是iPhone的NAND Flash供应商,两者合约在2012年告终,原因是三星不愿在NAND Flash封装过程中加入电磁波屏蔽。如今存储器市况恶化,三星平泽(Pyeongtaek)厂又将在明年量产3D NAND Fl

武汉新芯(XMC)最近发布约240亿美元的投资计划,将以武汉为基地,兴建以生产NAND Flash为主的半导体工厂。依韩国业界看法,武汉新芯与三星电子(Samsung Electronics)仍有至少3~4年的技术差距,但将是大陆市场上的潜在最大对手。

韩国时报报导,RBC资深分析师Amit Daryanani 18日报告称,今年全球存储器资本开支将年减4%、至502亿美元。其中减幅最大的是三星,资本开支将年减31%、约40亿美元。RBC估计,三星DRAM产线70%转为20nm制程之后,DRAM资本开支会

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