随着新一代智能型手机主芯片三星Exynos8890、高通骁龙820、麒麟950、联发科Helio X30等增加对UFS 2.0的支持,2016上半年Galaxy S7、华为P9 Plus、小米5、乐视Max 2、vivo Xplay 5等旗舰机均搭配高性能
据韩媒iNews 24报导,SK海力士预定在2017年上半启动利川厂区内的M14产线,用于投入下一代3D NAND量产,为加强产品的销售与生产速度,决定将位于盆唐的营销部门迁往利川总公司。
“未来30年,如果我们不解决芯片自己制造的问题,所谓的信息化时代会失去一个非常重要的依托和基础。”中国科学院微电子研究所所长叶甜春16日在福建晋江举行的国际集成电路产业发展高峰论坛上如是说。
福建省晋华存储器集成电路生产线项目16日正式开工。该项目一期投资达370亿元,预计2018年9月形成月产6万片12英寸内存晶圆的生产规模,打造为具有自主技术及世界级先进制造工艺水平的存储器研发制造企业,带动晋江形成千亿规模的集成电路产业。
7月15日,东芝和西部数据(西部数据在2016年5月份完成了对SanDisk的收购)在日本三重县四日市为新建的Fab 2工厂举行开幕仪式。
会议上简单的提到了英特尔下一代3D NAND,堆叠层数会多于现在的32层,保守点估计是48层,也可能是64层,将在2017年下半年推出样品,预计到2018年才会量产。
随着Q3旺季需求的带来,产业链相关人士表示,存储器供给吃紧,DRAM、NAND Flash需求可望攀升,市场已经传出第3季价格将有个位数涨幅,并且随着第3季手机品牌大厂推出新品,台系存储器厂商营运可望稳定攀升。
2016上半年原厂NAND Flash整体产出低于预期,在智能手机和SSD增大容量,以及苹果新iPhone备货的刺激下,市场在5月就提前进入供货紧张状态,通路商在缺货预期影响下,纷纷开始提高库存水位。
希捷(Seagate Technology plc)于美国股市11日盘后宣布,拜企业级硬盘产品需求优于预期、成本控制措施成效卓越之赐,2016会计年度第4季(截至2016年7月1日为止)营收初估达26.5亿美元、优于原先预期的23亿美元,非一般公认会计原则
紫光集团联合武汉新芯,一方面在IC设计、生产制造、硬件设施等方面能够做到优势互补,避免重复投资和内部消耗;另一方面,在国家政策、资金实力以及上下游配套资源等方面存在广阔的合作与想象空间,体现出巨大的市场价值,对于中国半导体的发展,尤其是在NAND Flas
本周(7月5日)120GB价格已上涨至26.5美金,240GB价格则上涨至46.5美金,自5月下旬涨价以来TLC SSD主流容量均已上涨6%。高容量480GB TLC SSD和MLC SSD价格维持平稳走势。
东芝(Toshiba)与美国合作伙伴Western Digital(西部数据),拟大幅增加投资存储器,希望藉扩产力抗南韩共同强敌三星。
Cell on Peripheral Circuit(以下简称Cell on Peri)构造由美光(Micron)与英特尔(Intel)阵营开发,采用将3D NAND Flash晶胞(Cell)阵列堆叠在周边电路CMOS逻辑IC上的方式,以缩减采3D NA
随着SSD价格的下滑,将持续缩短与HDD之间的价差,并将最终成为消费类市场主流应用,中国闪存市场网ChinaFlashMarket预计笔记本配置SSD已从2015年15%的比例提高到了现在的25%,预计2016年SSD在整个消费类市场渗透率将有望达到40%
半导体封测龙头日月光28日举行股东会,针对 2016 年下半年半导体市场景气与营运展望,日月光营运长吴田玉表示,在目前客户相继争抢产能的情况下,目前的产能吃紧。