NAND Flash产业在传统的Floating Gate架构面临瓶颈后,正式转进3D NAND Flash时代,目前三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)的3D NAND技术最早都是源自于飞索(Spansion)的Ch
武汉新芯高层继续进行调整。继董事长王继增辞职后,武汉新芯CEO杨士宁职务也发生变动。
希捷公布了截止到2016年9月30日的2017财年第一季度的财务报告,数据显示,按照美国通用会计准则,总营收为27.97亿美元,相较于去年同期的29.25亿美元下滑了4.4%,相较于上个季度的26.54亿美元增长了5.4%。
由于智能手机、SSD市场需求强烈,闪存、内存等存储芯片最近都在涨价,这也给了中国公司介入存储芯片市场的机遇。在中国发展半导体产业的规划中,存储芯片是最优先的,也是全国各地都争着上马的项目,其中国家级的存储芯片基地在武汉,投资超过240亿美元,之前是新芯科技
目前原厂NAND Flash供货依然比较紧张,原厂又提高价格导致成本增加,再加上近期汇率波动的影响,存储器产品价格一直持续上涨的行情。
由于市场NAND Flash供货依然紧张,再加上1美元对人民币中间价报6.734元,创6年来新低,人民币兑换美金贬值的影响,今日(10月17日)闪存卡表现大涨。
存储器大厂华邦电董事长焦佑钧指出,华邦电已经成功自行开发3xnm制程技术,为台湾首家自主开发nm级DRAM技术的厂商,且已在上周完成认证,并可望在第四季开始进入量产。
美光在2015年底宣布要以每股新台币30元价格收购华亚科100%股权,然而拖了将近一年,日前才宣布此案在年底前定局,美光成功收编完台湾的DRAM厂,前有力晶与尔必达(Elpida)合资的瑞晶,后有美光与南亚科合资的华亚科,都一一成为美光集团成员后,下一步要
联电在 2014 年与厦门市政府合作,透过合资方式成为第一个插旗大陆设 12 寸晶圆厂的台湾半导体厂,预定今年第四季投产在即,却传出大陆官方延迟拨款,导致该给部分设备商约十亿的款项,一拖过半年。
以目前的情况而言,第四季度原厂NAND Flash供货依然会比较紧张,同时部分原厂提高了产品报价,其中三星调涨价格幅度较为明显,可能是受到Note 7停售影响,所以调涨存储芯片产品报价以减少Note 7对整体营收所造成的冲击,从而也刺激了市场闪存产品价格上
2016年除了三星,东芝、美光、SK海力士等也在加快投入3D NAND,东芝已出样64层3D NAND,美光和SK海力士在2017年也将分别投入64层和72层3D NAND生产,同时东芝Fab 2、美光Fab 10x已 开始进入投产阶段,再加上SK海力士M
NAND Flash产业整并风潮持续,存储器模块大厂金士顿(Kingston)旗下NAND Flash控制芯片公司点序正式入股银灿70%,经营阶层也全面由点序接手,市场预期未来将在USB 3.0产品上进行集成,这一波台湾产业的NAND Flash控制芯片整
目前NAND Flash仍持续缺货中,部分128Gb价格已达到3美金甚至更高,成本增加,SSD价格从2016下半年一直表现涨势,尤其是TLC SSD,本周(9月27日)价格持续上涨。以目前市场情况而言,NAND Flash缺货还将持续。
存储器供货吃紧,价格喷发,先前韩媒预估,厂商制程转换将使产能减少,明年下半可能还有一波新行情。对此外资警告,DRAM荣景能否持续,取决于存储器龙头三星电子,要是三星扩产,好景恐怕无法持续。
雷克沙在Photokina展会上宣布推出一款最新的256GB大容量633X高性能MicroSDXC UHS-I (U3)存储卡。这是一款专为追求高性能高容量的运动摄影设备、平板和智能手机设计的,其顺序读速度高达95MB/s,可以存储36个小时的高清视频或是