2017年初三星、东芝/西部数据、美光、SK海力士等纷纷在年初宣布进入64层/72层3D NAND,从Q2开始部分原厂进入量产阶段,预计将在Q3季度扩大出货量,满足旺季市场需求。

日经新闻27日报导,东芝(Toshiba)将在今日(27日)和被选为优先交涉对象的「日美韩联盟」签订半导体事业子公司「东芝存储器(Toshiba Memory Corporation,以下简称TMC) 」的买卖契约,双方已针对收购金额、条件达成框架协议。

东芝6月21日宣布日本产业革新机构Innovation Network Corp of Japan (INCJ)、日本政策投资银行Development Bank of Japan (DBoJ)、美国私募股权投资公司贝恩资本(Bain Capital)为T

东芝 ( Toshiba )21日宣布,决定由产业革新机构(INCJ)、美国投资基金贝恩资本(Bain Capital)以及日本政策投资银行 (DBJ)所筹组的联盟作为半导体事业子公司「东芝存储器( Toshiba Memory Corporation、以

东芝选择日本政府主导的日美韩联盟,作为Memory事业优先交涉协商者,此举也等于宣告鸿海出局。对此,NAND控制芯片大厂群联董事长潘健成21日表示,东芝这样的决定,将可使NAND产业发展趋于平衡,群联与东芝的合作关系,也将更为紧密。

目前市场NAND Flash供货紧张的市况没有完全缓解,原厂3D NAND资源也还没有大量释放出来,虽然2017上半年市场需求较为疲软,但市场大多从业者看好Q3旺季需求,再加上经过一段时间的库存消耗,本周SSD 120GB价格由43美金上涨至43.5美金,

力晶科技昨天宣布,一旦转投资公司合肥晶合的12吋晶圆厂下半年完工量产,将逐步把在台湾的LCD驱动IC转至合肥生产,腾出的产能可支持客户产出NOR Flash。

华尔街日报(WSJ)日文版16日报导,NAND Flash正迎来10年1度的需求热潮,也造成作为原料的硅晶圆供应不足、当前库存水准已滑落至历史新低,各家半导体厂商纷纷加快脚步确保供应来源,不过东芝 ( Toshiba )在确保明年(2018年)所需的硅晶圆

6月15日,三星电子宣布已经开始量产第四代64层256Gb V-NAND,与48层256Gb V-NAND相比,生产效率将提高30%以上。东芝/西部数据、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布推出64层/72层3D NAND,预计从下半年开始将陆续进入

路透社报导,东芝( Toshiba )合作伙伴、共同营运NAND Flash主要据点四日市工厂的西部数据(Western Digital)15日宣布,已向美国加州地方法院提起诉讼,要求暂时禁止东芝出售Memory事业。西部数据要求,在仲裁法院结果出炉前,禁

近日,有媒体发布关于武汉新芯产线“遭受重大化学污染”、“影响产能约9,000片晶圆”等不实报道,我公司特严正声明。

日本经济新闻和日经亚洲评论(Nikkei Asian Review)专访郭台铭报导,郭台铭指出,竞标东芝存储器(Toshiba Memory),应该是由出资最高、且能在2018年3月底前完成全球主要市场反垄断法审查的竞标者胜出。

按照国家集成电路产业发展领导小组的统一部署,2017年6月10日上午,原国务院发展研究中心党组书记、全国政协常委陈清泰一行来莅临我司,调研评估国家集成电路产业投资基金首期运行情况。

鸿海董事长郭台铭昨接受路透专访时表示,苹果已确定加入以鸿海为首的竞标团队,戴尔(DELL)和金士顿科技(Kingston)也已是团队成员,亚马逊则即将加入,鸿海还正与Google、微软和思科系统(CISCO)洽谈。

共同社报导,围绕东芝半导体子公司「东芝Memory」出售事宜,合资方美国西部数据(WD)正就与日本半官方基金产业革新机构等的「日美联合体」出价提高至2兆日圆以上进行研究。

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