固态技术协会(JEDEC)已发布了Universal Flash Storage (UFS&UFSHCI)v3.0标准(JESD220D、JESD223D)和UFS存储卡v1.1标准(JESD220-2A)。UFS 3.0引入了HS-G4规
PCI-SIG组织正式发布PCIe 4.0规范,版本号v1.0。传输速率定义为16GT/s,比3.0翻番,而下一代的5.0则继续翻番到32GT/s。
7 月份的时候,有关 USB 3.2 即将到来的报道就已经出来了。与 USB 3.0 / 3.1 相比,尽管 USB 3.2 只是个普通计算机用户没理由去关心的“增量更新”,但它的部分特性还是令人激动不已。
行业技术联盟USB 3.0 Promoter Group今天公布了USB 3.2标准,USB 3.2将替代目前的USB 3.1标准。USB 3.0 Promoter Group 组织包含苹果、惠普、英特尔、微软和其他科技公司。
PCI-SIG标准组织在开发者大会上宣布,已经确定32GT/s为下一代PCI-E 5.0标准架构的传输速度——1GT/s相当于每秒10亿次传输,32GT/s那就是每秒320亿次传输。目前普及的PCI-E 3.0的传输速率为8GT/s,下一代PCI-E 4.
5月24日NVMe标准组织公布了最新的NVMe 1.3标准,为消费级与服务器带来了许多新功能,与之前的标准更新一样,大多数功能都是可选的,几个新的NVMe功能是基于其他存储接口如eMMC和ATA的现有功能,能帮助NVMe改善现有的一些不足。
SSD(固态硬盘)最为主流的传输协议有两种。一种是AHCI协议,另一种是NVMe协议。
随着智能手机的快速发展,对存储容量和性能的要求在不断提高。eMMC5.1虽然基于eMMC 5.0优化提高了传输速度,但并未定义更高的接口传输值,UFS2.0最高传输速度可达到11.6Gbps,是eMMC5.0(400MB/s)的3倍。
随着智能手机的快速发展,对存储容量和性能的要求在不断提高。eMMC规范已发展到了eMMC 5.1,最大的改变在于速度的提升。
为了让移动设备用户能够方便识别适合运行APP的SD卡,SD协会公布新的体系标准,A1分类(APP Performance A1)基于Secure Digital 5.1规格定义,A2标准则是对于SD6/0标准规范的补充说明...
垂直分层闸流体(Vertical Layered Thyristor;VLT),是Kilopass研发出的新型内存单元,能够显著降低动态随机存取内存(DRAM)的成本和复杂性。
Trim命令使SSD的垃圾回收效率更高,写性能,寿命也就相应得到了提高。
三星推出一款容量高达256GB全新的UFS存储卡,其读取速度上完全碾压现有Micro SD(TF卡)闪存卡。有不少人认为未来UFS存储卡将会取代TF卡的“江湖地位”。
三星公司已经开始量产其48层(即单NAND内48层单元,属于第三代升级技术)3D V-NAND芯片,预计其将被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企业级SSD(PM1633a)等SSD产品。