DDR2 1Gb eTT本周现货价格上扬逾5%,唯成交反应清淡;季底效应与淡季因素,NAND Flash价格呈现部份持平与部分回软的走势

NAND flash 市场上周价格整体表现平稳整,体需求较弱,买气不足;DRAM上周现货市场价格急剧下跌

Computex Taipei 2009展后评析,从新产品展望未来DRAM之发展

全球DRAM业第一季受到价格下滑与减产影响,季营收较上季下滑逾二成,市场占有率仍以韩国三星、海力士分居前两名

由于供应商控货,加上客户以及中国手机市场需求, 4月下旬主流 MLC NAND Flash(储存型快闪记忆体) 合约均价大致上涨 8-18% ,预期5月上旬主流的NAND Flash MLC 合约均价可望再上涨约 5% 以上。

DDR2 1Gb eTT颗粒价格自2月20日大涨逾10%至0.96美元后,经过短暂的持平走势,上周(02/24-03/02)颗粒价格再次呈现下滑的走势

DRAM :现货颗粒价格上周上涨逾10%,二月下旬合约价格表现持平

4Q08 在金融风暴的影响下,使得传统旺季需求出现远不如预期的情况,迫使 NAND Flash供货商在业绩及库存的双重压力下,而采取了持续降价的策略来去化库存及刺激买气,因此4Q08 NAND Flash ASP约比3Q08下跌32% QoQ,由于终端产品

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上市公司

数据有延时,05-14 17:49
存储原厂
三星电子 KRW 296000 +4.23%
SK海力士 KRW 1970000 -0.30%
铠侠 JPY 48460 -4.04%
美光科技 USD 803.630 +4.83%
西部数据 USD 494.090 +1.09%
闪迪 USD 1447.230 -0.33%
南亚科技 TWD 341.0 +6.23%
华邦电子 TWD 134.0 +9.84%
主控厂商
群联电子 TWD 2880 +9.92%
慧荣科技 USD 269.870 +4.31%
联芸科技 CNY 67.00 -5.02%
点序 TWD 89.3 +9.98%
品牌/模组
江波龙 CNY 599.00 -2.11%
希捷科技 USD 817.350 +1.06%
宜鼎国际 TWD 1865 +5.67%
创见资讯 TWD 344.5 +5.35%
威刚科技 TWD 447.0 +3.00%
世迈科技 USD 48.270 +9.38%
朗科科技 CNY 66.97 -4.67%
佰维存储 CNY 323.35 -1.56%
德明利 CNY 721.65 +6.16%
大普微电子 CNY 631.00 0.00%
大为股份 CNY 41.48 -4.80%
封测厂商
华泰电子 TWD 58.2 +1.75%
力成 TWD 229.0 -1.29%
长电科技 CNY 54.31 -5.53%
日月光 TWD 548 0.00%
通富微电 CNY 57.40 -5.69%
华天科技 CNY 14.26 -2.53%