三星电子表示,第四季度尽管PC和mobile领域存储需求可能会出现疲软,但人工智能需求增长将依旧保持强劲,在此背景下,将专注于推动高带宽内存(HBM)和高密度产品销售。

西部数据表示,对闪存市场的总体看法仍然乐观,将继续致力于严格的资本支出,并通过在最高价值的终端市场进行主动分配来提高盈利能力,增加对eSSD的投资,从而保持供需平衡。

SK海力士计划通过增加HBM和服务器DRAM销量,带动四季度DRAM Bit出货量环比5%左右;NAND方面,计划增加eSSD产品的销售量,预计四季度NAND Bit出货量环比增长10-13%(包含Solidigm)。

美光2024财年资本支出为81亿美元,预计2025财年的资本支出将显著增加,约占总收入的35%,这是基于美光目前的资本支出和收入预期。其中基础建设和HBM资本支出的增长预计将占年度资本支出增长的绝大多数。

上半年,国内存储品牌厂商库存均已达较高水位;尤其是德明利,其存货金额已超过当期营业收入逾10亿元,另外江波龙和佰维的存货跌价准备均约在2亿元。随着库存积压的压力不断凸显,下半年存储厂商恐都将面临存货跌价风险走高的挑战。

Blackwell的B200将搭载8颗24GB HBM3E(8层),总容量达到192GB,容量较前一代的H200搭载的141GB容量提升36%。其中,HBM3E单die容量为24Gb,较HBM3的16Gb提升50%。

对于后市,铠侠表示,随着对AI应用程序和单位存储容量的需求不断增长,业界对闪存市场的增长潜力以及潜在需求驱动因素仍然充满信心。

西部数据二季度末库存为33.42亿美元,库存周转天数由上季度的119天小幅上升至126天。西部数据表示库存增加是为下半年做准备,下半年往往更以消费者为导向,通常会有更多的出货量。

随着销量超过产量,DRAM 和 NAND 的库存水平较上一季度进一步得到改善。三星预计,三季度DRAM 和 NAND bit保持低个位数增长。

SK海力士预计三季度DRAM Bit出货量环比低个位数增长,并将增加HBM产品的出货量;NAND Bit出货量环比中个位数减少,其中,eSSD销量将增加,而其他产品则受终端市场需求疲软影响,库存相对较高。

美光预计2024财年DRAM和NAND bit需求增长将在百分之十左右。从中期来看,预计DRAM bit需求复合年增长率将达到中双位数,而NAND bit需求复合年增长率将达到双位数。供应上预计2024年DRAM和NAND bit供应将低于需求。

继一季度存储原厂恢复正常获利之后,未来如何平衡持续盈利与争夺市占将是一大考验。

铠侠发布的截止3月31日的FY23 Q4财报显示,随着供需平衡的进一步改善、ASP持续增长和存货估值损失的减少,铠侠FQ4营收3221亿日元(约合20.6亿美元),环比增长60.1%;营业利润439亿日元(约合2.8亿美元),环比扭亏为盈;净利润103亿日元(约合6598万美元),环比扭亏为盈。

三星Q1存储营收为17.49万亿韩元(约合132亿美元),环比增长11.3%,同比增长96.1%。存储业务所在的DS部门经营利润转正至1.91万亿韩元(约合14亿美元)。

库存方面,西部数据一季度末库存为32.16亿美元,环比基本持平,库存周转天数由上季度的115天小幅上升至119天。

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