供应方面，美光预计2025日历年其DRAM和NAND供应增长率将低于行业需求增长率，库存天数也将减少。同时，美光预计2025日历年DRAM和NAND bit市场份额将保持不变。
短期内由于传统市场的OEM厂商库存调整，个人电脑和智能手机市场需求将出现疲软，价格下行压力加剧。尽管产品组合有所改善，但由于ASP下降，预计营业利润将下降。对此，铠侠将灵活调整生产并谨慎管理资本支出，预计终端客户库存将于今年年中恢复正常，下半年传统消费市场需求将出现回升。
西部数据闪存业务营收份额占比从2024年第二财季开始出现连续五个季度下滑，本季度闪存业务占比从上季度的46%下降至43.78%，而HDD业务占比则从54%增长至56.22%。
尽管DS部门营收创纪录但营业利润在3Q24和4Q24已经连续发生环比下滑，盈利表现逊于其他竞争对手。在高利润产品供应优势有限，同时低利润产品市场低价激烈竞争的情况下，为提升整体利润水平，三星电子将更关注于未来高附加值产品的需求，扩大更先进节点的生产能力，减少传统工艺产品的生产，令2025年DRAM和NAND的bit output受到严重限制。
受IT设备季节性疲软和一些终端客户存储库存相对较高影响，SK海力士预计2025年一季度，NAND Bit出货量环比减少约18%，DRAM Bit出货量环比减少约13%。预计2025年DRAM Bit需求增长15%~20%，高于NAND Bit需求10%~15%的增幅。
美光继续扩大可用于生产HBM3E的1β DRAM，并计划2025日历年采用EUV生产1γDRAM；在NAND方面，将根据需求调整G8和G9 NAND的增长。
具体来看，FY24 Q2铠侠NAND Flash出货量环比增长约10%；NAND Flash以日圆计算、以美元计算平均售价环比均增长5%左右。
三星电子表示，第四季度尽管PC和mobile领域存储需求可能会出现疲软，但人工智能需求增长将依旧保持强劲，在此背景下，将专注于推动高带宽内存(HBM)和高密度产品销售。
西部数据表示，对闪存市场的总体看法仍然乐观，将继续致力于严格的资本支出，并通过在最高价值的终端市场进行主动分配来提高盈利能力，增加对eSSD的投资，从而保持供需平衡。
SK海力士计划通过增加HBM和服务器DRAM销量，带动四季度DRAM Bit出货量环比5%左右；NAND方面，计划增加eSSD产品的销售量，预计四季度NAND Bit出货量环比增长10-13%（包含Solidigm）。
美光2024财年资本支出为81亿美元，预计2025财年的资本支出将显著增加，约占总收入的35%，这是基于美光目前的资本支出和收入预期。其中基础建设和HBM资本支出的增长预计将占年度资本支出增长的绝大多数。
上半年，国内存储品牌厂商库存均已达较高水位；尤其是德明利，其存货金额已超过当期营业收入逾10亿元，另外江波龙和佰维的存货跌价准备均约在2亿元。随着库存积压的压力不断凸显，下半年存储厂商恐都将面临存货跌价风险走高的挑战。
Blackwell的B200将搭载8颗24GB HBM3E（8层），总容量达到192GB，容量较前一代的H200搭载的141GB容量提升36%。其中，HBM3E单die容量为24Gb，较HBM3的16Gb提升50%。
对于后市，铠侠表示，随着对AI应用程序和单位存储容量的需求不断增长，业界对闪存市场的增长潜力以及潜在需求驱动因素仍然充满信心。
西部数据二季度末库存为33.42亿美元，库存周转天数由上季度的119天小幅上升至126天。西部数据表示库存增加是为下半年做准备，下半年往往更以消费者为导向，通常会有更多的出货量。
投资近130亿美元，SK海力士兴建全新先进封装工厂P&T7
嵌入式LPDDR4X价格全面大幅上涨，存储现货市场整体多以接单谨慎、按单谈价为主
本周行业SSD和渠道SSD、内存条价格上涨，部分行业PC客户正逐渐接受新季度报价
本周存储成品端现货价格维持高位盘整，部分Flash Wafer及DDR颗粒价格上调