Samsung 第九代V-NAND

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Samsung 第九代V-NAND 共1个产品

名称	容量	NAND I/O速度	接口
三星第九代V-NAND	1Tb	3.2 Gb/秒	Toggle 5.1

三星第九代V-NAND 1Tb TLC产品已开始量产，凭借当前三星最小的单元尺寸和最薄的叠层厚度，三星第九代V-NAND的位密度比第八代V-NAND提高了约50%。

第九代V-NAND配备了下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”，可将数据输入/输出速度提高33%，最高可达每秒3.2千兆位（Gbps）。

与上一代产品相比，第九代V-NAND功耗降低了10%。

三星将于今年下半年开始量产四层单元（QLC）第九代V-NAND。

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三星一直处于创新的最前沿，致力于钻研创新性技术，不断推出新产品，迅猛而且业绩显著地开拓新市场。在闪存、DRAM、非存储芯片、定制半导体等产品线的研究与开发中一直保持领先地位，而且为保持电子数码产品领域领导者的地位不断努力，承诺为顾客提供全球最高水平的产品及服务。

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