| 系列 | NAND I/O速度 | 数据密度 | 封装规格 | 容量 |
|---|---|---|---|---|
| 美光 232 层 NAND | 2.4 GB/秒 | 14.6 Gb/mm2 | 11.5mm x 13.5mm | 1Tb |
美光232 层 NAND 技术提供了必要的高性能存储，以支持数据中心和汽车应用所需的高级解决方案和实时服务，以及在移动设备、消费电子产品和 PC 上的响应式沉浸式体验。
该技术节点能够引入业界最快的 NAND I/O 速度 — 每秒 2.4 GB (GB/s) — 以满足人工智能和机器学习等以数据为中心的工作负载的低延迟和高吞吐量需求，非结构化数据库和实时分析以及云计算。该速度比美光 176 层节点上启用的最快接口快 50%。与上一代相比，232 层 NAND 还提供高达 100% 的更高写入带宽和 75% 以上的每裸片读取带宽。这些单芯片优势可转化为 SSD 和嵌入式 NAND 解决方案的性能和能效提升。
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