SKHynix
SK海力士在HBM4的开发过程中采用了产品稳定性方面获得市场认可的自主先进MR-MUF技术和第五代10纳米级（1b）DRAM工艺，最大程度地降低其量产过程中的风险。
此产品搭载于智能手机，能够有效提升操作系统的运行速度和数据管理效率。基于这一优势，长期使用所导致的读取性能下降问题可改善超过4倍，而应用程序的运行时间相较传统UFS缩短了45%。
此次引进的设备为荷兰ASML公司推出的TWINSCAN EXE:5200B，它是首款量产型High-NA EUV设备。与现有的EUV设备（NA 0.33）相比，其光学性能（NA 0.55）提升了40%，这一改进使其能够制作出精密度高达1.7倍的电路图案，并将集成度提升2.9倍。
散热性能的提升有助于改善智能手机整机性能，同时通过降低功耗，可延长电池续航时间并提高产品寿命。SK海力士期待该产品能够引发移动设备行业的高度关注和强劲需求。
SK海力士为了最大限度地提高此次产品的成本竞争力，将其开发为与现有产品相比容量翻倍的2Tb产品。
今年上半年，包括美国销售子公司在内的美国客户销售额达到27.8344万亿韩元（约合200.9亿美元），占总销售额（约33.9万亿韩元）的69.8%。
SK 海力士对未来 HBM 市场增长持乐观态度，部分原因在于客户可能会希望获得比 SK 海力士目前所能提供的更进一步的定制化服务，SK海力士有信心为客户提供具有竞争力的产品。
就NAND闪存业务领域，SK海力士将持续响应需求秉持谨慎的投资基调，实施以盈利为导向的运营策略，也将推进应对今后市场情况改善的产品开发。
SK海力士表示，新工厂的具体开工日期、投资额和用途尚未确定，计划在进行测试的同时再决定具体细节。
SK海力士将把4F² VG（垂直栅极）平台和3D DRAM技术应用于10纳米及以下工艺，并在结构、材料和组件方面进行创新。
韩国京畿道利川市
SK Hynix 321层4D NAND 2024-11-21
SK Hynix 238层4D NAND 2022-08-02
SK Hynix 3D TLC QCG8M2M 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC UDG8M2M 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC QDG8M2B 2018-04-26
SK海力士HBM3E 2024-03-20
SK海力士HBM3 2021-10-14
SK海力士DDR5 DRAM 2020-10-15
SK海力士 DDR4 DRAM 2016-01-26
SK海力士PCB01 SSD 2024-06-28
Beetle X31 SSD 2023-06-05
SK hynix Platinum P41 SSD 2022-05-19
SK hynix Gold P31 2020-08-19
SK海力士企业级SSD-PE8000系列 2020-04-08
SK海力士UFS 4.0系列 2024-05-20
SK海力士UFS2.1系列 2016-06-15
SK Hynix eMMC 5.1系列 2016-06-08
SK海力士UFS2.0系列 2015-07-09
SK Hynix eMMC 5.0系列 2014-04-16
SK海力士2025年第二季度财报 2025-07-24
SK海力士2025年第一季度财报 2025-04-24
SK海力士2024年第四季度财报 2025-01-24
SK海力士2024年第三季度财报 2024-10-24
SK海力士2024年第二季度财报 2024-07-25
SK海力士2024年第一季度财报 2024-04-25
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱：Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场（ChinaFlashMarket） 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2
