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  • 2026-08-09 13:40

美光最新消息

美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收购NOR Flash大厂恒忆(Numonyx BV)的所有程序。依据协议,美光已发行大约1.38亿股普通股(大约相当于12亿美元)给恒忆股东(英特尔、意法半导体、私募股权基金Franci

内存组件转向采用铜导线(copper interconnect)的趋势在2009年达到高峰,因此尽管当年整体半导体设备产业销售业绩衰退达40%以上,其中与铜导线直接相关的设备业绩却仅衰退8.7%。

继三星,力晶等内存芯片大厂对内存芯片产能提升事宜公开发表意见之后,美光公司近日也表态称他们今年没有提升内存芯片产能的计划,美光表示他们将专注与缩 减内存芯片的制程尺寸,以便提升自己的产品竞争力。

Intel、美光合资公司(IMFT)宣布,25nm新工艺NAND闪存芯片将从第二季度起开始销售,预计今年晚些时候就可以看到相关U盘、记忆卡、固态硬盘等各种产品。

笔记型电脑、伺服器需求持续为DRAM出货量、均价带来上升动能,而美光的零售固态硬碟(SSD)已销售一空。

美系内存大厂美光(Micron)日前正式推出25奈米NAND Flash制程,预计于2010年中量产,竞争对手三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)亦不甘示弱推出27奈米、26奈米制程技术;

美系内存大厂美光(Micron)在购并NOR Flash龙头大厂恒忆(Numonyx)之后,加入2项重要产品线,分别为NOR Flash产品线和相变化内存(Phase Change Memory;PCM)。

三星电子半导体部门总裁权五铉(Kwon Oh-hyun)23日在接受韩国时报(The Korea Times)专访时表示,虽然记忆体景气逐渐增温,但若因此要在今(2010)年持续抱持乐观的态度则仍嫌过早。

美光(Micron)和南亚科正式宣布加入40奈米DRAM制程大战,今(9)日将携手宣布42奈米2Gb容量DDR3产品正式问世

日前,西安高新区与美国美光科技公司签署新投资项目合作协议,美国美光科技公司在继2.5亿美元投资西安高新区后,将再投资3亿美元在高新区发展半导体测试项目。双方的正式签约,使高新区招商引资在新年内实现开门红。

在美国DRAM大厂美光季报由亏转盈的激励下,台股DRAM类股成为上周股价表现最强势族群,包括华邦电、南科、华亚科等单周都有高达二成以上涨幅。

美联社21日报导,Wedbush Morgan证券分析师Betsy Van Hees以2010年第1季计算机需求可望远优于预期为由,将美国内存芯片大厂美光(Micron Technology Inc.)的投资评等自「中立」调高至「表现优于指数」,并将目标价

爱达荷州博伊西--(美国商业资讯)-- 美光科技股份有限公司(Micron Technology, Inc.,纽约证券交易所代码:MU)近日宣布,将自愿从纽约证券交易所转至纳斯达克OMX集团(纳斯达克代码:NDAQ)旗下的纳斯达克全球精选市场上市,自200

美国贸易代表Ron Kirk在一封9月24日写给参议员Mike Crapo的信中提到,欧巴马政府誓言将会就日本DRAM大厂尔必达(Elpida Memory Inc.)取得官方融资乙事,透过世贸组织(WTO)等场合向日本、台湾施压。

外电报导,Pacific Crest分析师Kevin Vassily 28日发表研究报告指出,至8月份为止记忆体价格表现颇为强劲,而出货量(尤其是DRAM)也稳健。 Vassily指出,9月产业市况仍续强,这些因素促使他将美光(Micron Technol

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