DataTraveler HyperX 3.0
DataTraveler HyperX 3.0

提供USB 3.0的传输速度，读/写速度分别高达225MB/s和135MB/s，256GB存储容量，面向于高端客户群体。

金士顿 2013-07-25
Toshiba SD UHS-I系列
Toshiba SD UHS-I系列

速度等级为Class 10，容量从8GB-64GB，可满足全高清视频浏览和应用程序运行。

铠侠 2013-07-25
Toshiba THNSNF系列
Toshiba THNSNF系列

THNSNH系列使用了19nm Toggle NAND Flash，搭载TC58NC5HA9GST八通道控制器，有多种规格产品。

铠侠 2013-07-25
Transcend SD Class 4系列
Transcend SD Class 4系列

支持SD 2.0规格，具备每秒至少可写入4MB的传输速度，4GB-16GB的超大容量，满足一般用存储要求。

创见 2013-07-25
Sandisk Ultra 3.0 USB 闪存盘系列
Sandisk Ultra 3.0 USB 闪存盘系列

存储容量可达 64GB，USB 3.0传输接口，读取速度可达80MB/秒，附带闪迪保险箱安全软件。

闪迪 2013-07-24
Samsung MCP LPDDR系列
Samsung MCP LPDDR系列

NAND(512MB-128MB)+ MDDR(512MB-32GB)，LPDDR能实现高达每秒400Mb的数据传输速率。

三星 2013-07-24
DataTraveler Workspace系列
DataTraveler Workspace系列

能与Windows To Go1 搭配使用，完全可管理的企业 Windows 8 工作区，位于专门配置的 USB 启动盘上。

金士顿 2013-07-24
Transcend SSD320系列
Transcend SSD320系列

320系列采用SATA III接口，Micron MLC NAND Flash和SandForce控制芯片，读写速度也均在500MB/秒以上。

创见 2013-07-24
Samsung MCP LPDDR 2系列
Samsung MCP LPDDR 2系列

搭配方案NAND(512MB)+ MDDR 2(256MB/512MB)，采用 LPDDR 2，能实现高达1066Mbps的数据传输。

三星 2013-07-24
Marvel M01系列
Marvel M01系列

Marvel M01采用USB3.0传输接口，够大幅度的缩减用户拷贝资料的传输时间，是用户最为经济实惠的选择。

广颖电通 2013-07-23
Transcend mSATA SSD系列
Transcend mSATA SSD系列

mSATA SSD采用24nm MLC NAND Flash，提供快速读写与长效可靠性，适用于Ultrabook、平板电脑与薄型服务器。

创见 2013-07-23
Adata XPG SX900系列
Adata XPG SX900系列

XPG SX900系列采用Intel MLC NAND Flash，存储容量较多，最低为60GB，读写速度也均在500MB/秒以上。

威刚 2013-07-23
Sandisk 酷晶USB系列
Sandisk 酷晶USB系列

采用USB 3.0接口，高达 64GB 的存储容量，采用密码保护技术。该系列不仅结实耐用，而且拥有时尚的外观。

闪迪 2013-07-22
Micron MCP系列
Micron MCP系列

搭配方案为1Gb-4Gb NAND+512MB-4Gb LPDDR，体积小，占用空间少，最大限度地降低功耗。

美光 2013-07-20
SSDNow mS200 Drive系列
SSDNow mS200 Drive系列

mS200系列袖珍外形十分适合笔记本电脑、平板电脑和超级本，而且提供480GB大容量存储，高读写速。

金士顿 2013-07-20

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厂商快讯

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⊙06-18 07:47

SK海力士18日宣布，已向主要客户供应12层HBM4E样品，该产品是面向人工智能（AI）的下一代超高性能DRAM。此次新产品较上一代HBM4，性能和能效均取得了跨越式升级。其引脚速率最高可达16Gbps，并将能效提高20%以上，显著提升了AI训练和推理所必需的数据处理能力。

⊙06-17 10:16

据韩媒THE ELEC援引业内人士消息称，ENF Technology已实现半导体制造过程中使用的氢氟酸的本地化生产，并于本月初完成产品质量认证，向SK海力士交付了首批半导体级氢氟酸（HF）。目前，该公司正在通过将其应用于生产流程来验证其稳定性。经过一到两周的初期运行后，从本月底开始，供应量将扩大到包括DRAM在内的主要生产线。

⊙06-17 10:15

据韩媒THE ELEC报道，济州半导体副总裁黄柱元近日会见记者时表示，公司将在SK海力士的晶圆厂生产LPDDR5，作为LPDDR4X的后续产品。LPDDR5量产目标时间为2030年，具体规模尚未最终确定。据报道，济州半导体已与SK海力士签署合同，将在未来几年使用其工厂，生产基地据推测位于中国无锡。

⊙06-16 14:45

铠侠今日在官网宣布其EXCERIA G3 SSD系列推出4TB型号，丰富了PCIe 5.0 产品线的容量选择，预计将于2026年7月上旬开始发售。此次新增的4TB型号采用基于其第八代BiCS FLASH™ 3D闪存技术的QLC存储器构建，为需要在AI应用和游戏主机环境中配备入门级SSD的用户提供了更多选择。EXCERIA G3 SSD系列的顺序读取速度高达10,000MB/s，顺序写入速度高达9,600MB/s。

⊙06-12 21:14

证监会同意长鑫科技集团股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市的注册申请。招股书显示，长鑫科技此次 IPO 拟募资 295 亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM 存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目等项目。

⊙06-12 17:59

据韩媒inews24援引业内人士消息称，考虑到HBM4E计划于明年量产，客户验证和优化工作必须在今年下半年进行，因此样品供应指日可待。据透露，SK海力士正准备向主要客户提供HBM4E样品，最早可能在本月开始发货，最迟下个月也将开始。

⊙06-12 15:00

在近期的交易日中，铠侠市值曾一度突破 45万亿日元，短暂超越丰田并跃居日本第二。随着股价继续攀升，截至6月12日收盘，铠侠已成功登顶日本企业市值榜首。

⊙06-12 11:55

据韩媒朝鲜日报援引SK海力士和消防部门12日消息，当天上午9点55分（当地时间）左右，位于忠清北道清州市兴德区SK海力士清州园区4号楼M15X二楼发生火灾。火灾发生后，M15和M15X的员工立即疏散到室外。据报道，该公司消防队在初期就扑灭了火灾。清州市发布了灾害警报，建议附近居民避开该区域，车辆绕行，因为担心可能发生氟化物泄漏。消防部门目前正在现场核实是否真的发生了气体泄漏。SK海力士方面表示，已完成初步控制，正调查具体情况，生产设备运行正常。本月1日，SK海力士清州4号园区也曾发生火灾。

⊙06-12 09:45

据外媒报道，谷歌正在开发第十代TPU，代号为“Icefish”，预计最早于2028年投入量产。此前，谷歌的TPU大部分由台积电生产。然而，谷歌计划在第十代TPU中采用台积电的1.4nm工艺生产核心运算芯片，并采用三星的2nm工艺制造其内存I/O Die。此举被解读为，在台积电因AI需求导致产能接近饱和的情况下，谷歌寻求供应链多元化的一种策略。

⊙06-10 14:34

据韩媒报道，韩国半导体设备公司Pemtron今日宣布，近期已从美光科技获得一份新订单，为其提供用于AI服务器的SOCAMM2存储模块的检测设备。 此外，Pemtron还将向中国半导体企业供应半导体封装检测设备。 Pemtron表示，最近这笔订单是在经过全球顶级客户严格的大规模生产线评估后下的，公司已经证明了其检测设备的可靠性和大规模生产的稳定性。

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