Phison eMMC 5.0控制芯片
Phison eMMC 5.0控制芯片

群联eMMC 5.0控制芯片

群联 2014-03-18
3S eMMC 控制芯片
3S eMMC 控制芯片

3S闪存盘控制ICSSS6130和SSS6131，支持USB 3.0传输接口，TLC或MLCNAND Flash。

鑫创 2014-03-14
Samsung eMMC 5.0 MLC系列
Samsung eMMC 5.0 MLC系列

容量从8GB-128GB，采用2bit MLC NAND Flash，符合eMMC 5.0规范，适于智能手机、平板、Smart TV等存储应用。

三星 2014-03-12
Samsung eMMC 5.0 TLC系列
Samsung eMMC 5.0 TLC系列

容量从8GB-64GB，采用3bit MLC NAND Flash，符合eMMC 5.0规范，适于智能手机、平板、Smart TV等存储应用。

三星 2014-03-12
Kingston MicroUSB接口U盘系列
Kingston MicroUSB接口U盘系列

采用MicroUSB 2.0接口，最大存储容量为64GB，体积较小，主要为平板和智能手机提供存储空间。

金士顿 2014-03-12
Sandisk OTG USB2.0 U盘系列
Sandisk OTG USB2.0 U盘系列

双USB接口，USB 2.0的传输速度，最高存储容量为64GB，可轻松地从Android智能手机或平板移动文件表。

闪迪 2014-03-12
Micron 550系列
Micron 550系列

采用20nm NAND Flash，有SATAIII、mSATA和M.2三种规格形态，接口速度可达6Gbps，有64GB和1TB容量选择。

美光 2014-03-11
SDHC/XC UHS-1 U3系列
SDHC/XC UHS-1 U3系列

存储容量32GB-64GB，最高读取速度可达每秒90MB，最高写入速度也可达每秒40MB。

胜创 2014-03-10
Toshiba HG6系列
Toshiba HG6系列

采用第二代19nm NAND Flash，SATAIII接口，主要用于笔记本电脑、工作站、瘦客户机、服务器启动存储等

铠侠 2014-03-06
Transcend M.2 N8S750系列
Transcend M.2 N8S750系列

N8S750 SSD导入80mm M.2规格，主要瞄准Ultrabook、平板等轻薄型移动设备，最高读速度到520MB/s。

创见 2014-03-04
Transcend mSATA MSA340系列
Transcend mSATA MSA340系列

提供32GB-256GB存储容量，具有SATA 6Gbps接口速度，适用于Ultrabook、平板等产品。

创见 2014-02-27
SP Superior SDHC/XC UHS-1 U3
SP Superior SDHC/XC UHS-1 U3

存储容量16GB-64GB，写入速度上最低每秒可达到30MB，让你在绝佳的摄影状态捕捉超高画质影像。

广颖电通 2014-02-25
SP MicroSDHC UHS-1 U3系列
SP MicroSDHC UHS-1 U3系列

存储容量16GB-32GB，写入速度上最低每秒可达到30MB，让你在绝佳的摄影状态捕捉超高画质影像。

广颖电通 2014-02-25
Sandisk iNAND Extreme系列
Sandisk iNAND Extreme系列

Sandisk推出的5.0规范的eMMC，采用第二代闪迪19纳米(nm) 技术，存储器容量高达128GB。

闪迪 2014-02-24
至尊超极速USB 3.0闪存盘系列
至尊超极速USB 3.0闪存盘系列

存储容量高达128GB，USB 3.0传输接口，文件传输速度是普通USB 2.0 闪存盘的60 倍。

闪迪 2014-02-20

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⊙01-16 16:56

据韩媒报道，熟知三星电子内情的相关人士透露，近期三星电子1c DRAM良率已接近60%，该良率确保了超过盈亏平衡点。

⊙01-15 14:57

受惠存储价格走扬与需求回温，宜鼎国际2025年第四季度单季营收达48.06亿元（新台币，下同），环比增长26.25%，同比增长115.74%，带动全年营收达142.61亿元，同比增长近六成，创下历史新高。展望今年第一季，宜鼎看好整体需求动能延续，DRAM 与NAND Flash 价格皆持续上扬，其中Flash价格自去年第三季才开始反映供需变化，涨势仍在加速阶段，首季涨幅可望与DRAM 相当。

⊙01-15 14:25

据韩媒etnews引述业内人士报道，SK海力士已将其无锡工厂的现有1z工艺升级为1a工艺。目前，SK海力士无锡工厂基于12英寸晶圆的DRAM月产能为18万至19万片，其中约90%的产能为1a工艺。无锡工厂的产量占SK海力士DRAM总产量的30%至40%。

与此同时，SK海力士预计将加快其韩国DRAM晶圆厂向1c工艺的升级改造。1c升级的投资将集中在位于利川的M14和M16晶圆厂。其未来的生产结构将是：通用DRAM产品在中国生产，而尖端DRAM产品在韩国生产。

⊙01-15 14:04

据韩媒报道，业内人士透露，英伟达2025年第四季度再次提高了对三星电子和SK海力士的HBM4芯片供应标准。作为回应，三星电子正在修改其逻辑芯片设计，并与代工部门合作，重点关注散热控制和性能提升，加快研发进度。三星电子内部人士表示，提高数据传输速度并不难，只需对逻辑芯片的设计和工艺进行一些改进即可实现。达到英伟达提出的每引脚13Gbps的传输速度是可能的，只是散热存在问题，但这个问题很快就能解决。

⊙01-15 11:05

SK海力士美国法人长柳成洙（音译）近日在接受路透社采访时透露，SK海力士将在 2027 年 2 月提前3个月开放韩国龙仁新园区的首家工厂。同时，计划从下月起在清州新建的 M15X 工厂投放硅晶圆，正式启动HBM芯片的生产。

⊙01-15 09:38

台媒报道，威刚科技宣布投资1亿美元（约合新台币31.4亿元/人民币6.97亿元），从The Film Property Trust收购Weta FX Limited普通股1,366.75万股，每股作价7.3166美元。交易完成后，威刚将持有Weta FX 25%的股权，成为其重要战略股东。此项投资主要着眼于人工智能（AI）技术在影视内容、数字特效及虚拟制作等领域的长期发展潜力，以切入AI内容应用的新蓝海市场。

⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

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