Intel 535 SSD系列
Intel 535 SSD系列

提供120GB-480GB容量，包括2.5英寸和M.2规格，接口速度均为SATA6Gbps，采用美光16nm MLC NAND Flash。

英特尔 2015-04-03
Intel 750 SSD系列
Intel 750 SSD系列

提供400GB和1.2TB容量，首款消费级PCIe3.0 x4接口SSD，采用Intel自家的20nm MLC NAND Flash。

英特尔 2015-04-03
mSATA/M.2 850 EVO系列
mSATA/M.2 850 EVO系列

采用3D V-NAND，容量提供120GB-1TB，mSATA和M.2设计适用于超薄型个人计算机(PC)产品。

三星 2015-04-01
Sandisk iNAND 7132系列
Sandisk iNAND 7132系列

采用先进的1ynm X3工艺，符合eMMC5.0规范标准，提供16GB-64GB容量。

闪迪 2015-03-24
Toshiba eMMC 5.1系列
Toshiba eMMC 5.1系列

容量从16GB-128GB，采用东芝15nm NAND Flash，符合eMMC 5.1规范，适于智能手机和平板等移动设备。

铠侠 2015-03-24
Sandisk iNAND 5130系列
Sandisk iNAND 5130系列

采用先进的1ynm工艺，符合eMMC5.0规范标准，提供8GB-64GB容量，适用于智能手机、平板等设备中。

闪迪 2015-03-20
Toshiba EXCERIA UHS-I系列
Toshiba EXCERIA UHS-I系列

提供16GB和32Gb容量，UHS-I接口标准，Class 10速度等级，最大读取速度48MB/s。

铠侠 2015-03-17
创见EMC210 e.MMC
创见EMC210 e.MMC

提供8GB-32GB容量，符合JEDEC 4.51标准规范，采用MLC芯片，主要适用于工业级市场应用。

创见 2015-03-17
耐用性Class 10 MicroSD系列
耐用性Class 10 MicroSD系列

提供32GB和64GB容量，64GB最多可记录1万小时视频，32GB最多可记录5000小时视频。

闪迪 2015-03-02
三星UFS2.0系列
三星UFS2.0系列

提供16GB-256GB容量，符合UFS2.0协议规范，适合智能型手机、平板、Smart TV等产品应用。

三星 2015-02-26
innodisk EDC 1SE Vertical
innodisk EDC 1SE Vertical

采用SLC NAND，PATA接口，提供512MB~4GB容量选择，顺序读写最大40/28MB/秒。

宜鼎国际 2015-02-26
innodisk EDC 1SE Horizontal
innodisk EDC 1SE Horizontal

采用SLC NAND，PATA接口，提供512MB~8GB容量选择，顺序读写最大40/28MB/秒。

宜鼎国际 2015-02-26
innodisk EDC Vertical 3SE系列
innodisk EDC Vertical 3SE系列

采用SLC NAND，USB 3.0接口，4-32GB容量选择，尺寸为24.0mm x 22.0mm x 5.0mm。

宜鼎国际 2015-02-18
innodisk EDC Vertical 3ME系列
innodisk EDC Vertical 3ME系列

采用MLC NAND，USB 3.0接口，8-64GB容量选择，尺寸为24.0mm x 22.0mm x 5.0mm。

宜鼎国际 2015-02-18
Samsung eMMC 5.1 MLC系列
Samsung eMMC 5.1 MLC系列

容量从16GB-128GB，采用2bit NAND Flash，符合eMMC 5.1规范，适于智能手机、Smart TV、游戏机等存储应用。

三星 2015-02-18

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厂商快讯

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⊙06-18 07:47

SK海力士18日宣布，已向主要客户供应12层HBM4E样品，该产品是面向人工智能（AI）的下一代超高性能DRAM。此次新产品较上一代HBM4，性能和能效均取得了跨越式升级。其引脚速率最高可达16Gbps，并将能效提高20%以上，显著提升了AI训练和推理所必需的数据处理能力。

⊙06-17 10:16

据韩媒THE ELEC援引业内人士消息称，ENF Technology已实现半导体制造过程中使用的氢氟酸的本地化生产，并于本月初完成产品质量认证，向SK海力士交付了首批半导体级氢氟酸（HF）。目前，该公司正在通过将其应用于生产流程来验证其稳定性。经过一到两周的初期运行后，从本月底开始，供应量将扩大到包括DRAM在内的主要生产线。

⊙06-17 10:15

据韩媒THE ELEC报道，济州半导体副总裁黄柱元近日会见记者时表示，公司将在SK海力士的晶圆厂生产LPDDR5，作为LPDDR4X的后续产品。LPDDR5量产目标时间为2030年，具体规模尚未最终确定。据报道，济州半导体已与SK海力士签署合同，将在未来几年使用其工厂，生产基地据推测位于中国无锡。

⊙06-16 14:45

铠侠今日在官网宣布其EXCERIA G3 SSD系列推出4TB型号，丰富了PCIe 5.0 产品线的容量选择，预计将于2026年7月上旬开始发售。此次新增的4TB型号采用基于其第八代BiCS FLASH™ 3D闪存技术的QLC存储器构建，为需要在AI应用和游戏主机环境中配备入门级SSD的用户提供了更多选择。EXCERIA G3 SSD系列的顺序读取速度高达10,000MB/s，顺序写入速度高达9,600MB/s。

⊙06-12 21:14

证监会同意长鑫科技集团股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市的注册申请。招股书显示，长鑫科技此次 IPO 拟募资 295 亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM 存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目等项目。

⊙06-12 17:59

据韩媒inews24援引业内人士消息称，考虑到HBM4E计划于明年量产，客户验证和优化工作必须在今年下半年进行，因此样品供应指日可待。据透露，SK海力士正准备向主要客户提供HBM4E样品，最早可能在本月开始发货，最迟下个月也将开始。

⊙06-12 15:00

在近期的交易日中，铠侠市值曾一度突破 45万亿日元，短暂超越丰田并跃居日本第二。随着股价继续攀升，截至6月12日收盘，铠侠已成功登顶日本企业市值榜首。

⊙06-12 11:55

据韩媒朝鲜日报援引SK海力士和消防部门12日消息，当天上午9点55分（当地时间）左右，位于忠清北道清州市兴德区SK海力士清州园区4号楼M15X二楼发生火灾。火灾发生后，M15和M15X的员工立即疏散到室外。据报道，该公司消防队在初期就扑灭了火灾。清州市发布了灾害警报，建议附近居民避开该区域，车辆绕行，因为担心可能发生氟化物泄漏。消防部门目前正在现场核实是否真的发生了气体泄漏。SK海力士方面表示，已完成初步控制，正调查具体情况，生产设备运行正常。本月1日，SK海力士清州4号园区也曾发生火灾。

⊙06-12 09:45

据外媒报道，谷歌正在开发第十代TPU，代号为“Icefish”，预计最早于2028年投入量产。此前，谷歌的TPU大部分由台积电生产。然而，谷歌计划在第十代TPU中采用台积电的1.4nm工艺生产核心运算芯片，并采用三星的2nm工艺制造其内存I/O Die。此举被解读为，在台积电因AI需求导致产能接近饱和的情况下，谷歌寻求供应链多元化的一种策略。

⊙06-10 14:34

据韩媒报道，韩国半导体设备公司Pemtron今日宣布，近期已从美光科技获得一份新订单，为其提供用于AI服务器的SOCAMM2存储模块的检测设备。 此外，Pemtron还将向中国半导体企业供应半导体封装检测设备。 Pemtron表示，最近这笔订单是在经过全球顶级客户严格的大规模生产线评估后下的，公司已经证明了其检测设备的可靠性和大规模生产的稳定性。

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