CMM CXL E3.S
CMM CXL E3.S

采用E3.S 2T 外形尺寸，64GB、96GB、128GB三种容量选择，为各种服务器配置提供了灵活性。

世迈科技 2025-03-26
世迈科技DDR5 RDIMM
世迈科技DDR5 RDIMM

结合DDR5技术卓越的效能与增强的保护功能，确保在最严苛的数据中心环境中仍具备高度可靠性和稳定使用寿命。

世迈科技 2024-08-23
美光DDR5 RDIMM
美光DDR5 RDIMM

基于32Gb单块DRAM芯片，在所有主流服务器平台上的速率均高达5,600 MT/s。

美光 2024-05-07
Crucial LPCAMM2
Crucial LPCAMM2

与 DDR5 SODIMM 相比，LPCAMM2 的有功功率减少高达 58%，空间节省 64%。

美光 2024-05-07
大为创芯DDR5 SO-DIMM
大为创芯DDR5 SO-DIMM

覆盖主流产品规格，性价比高，兼容性强，质量可靠。

大为创芯 2024-03-25
CXA-8F2W CXL AIC
CXA-8F2W CXL AIC

采用Type 3 PCIe Gen5，由全高半长尺寸的 PCIe 模块上的安装八支 DDR5 RDIMM 组成。

世迈科技 2023-09-15
康盈SO-DIMM（DDR4）
康盈SO-DIMM（DDR4）

采用优质DRAM资源，符合JEDEC标准；性能稳定，兼容性强，低延迟。

康盈半导体 2023-08-01
康盈UDIMM（DDR4）
康盈UDIMM（DDR4）

采用优质DRAM资源，符合JEDEC标准；性能稳定，兼容性强，低延迟。

康盈半导体 2023-08-01
康盈SO-DIMM（DDR5）
康盈SO-DIMM（DDR5）

原生运行速率高达5600Mbps，新增电源管理芯片，更有效地控制系统的电源负载。

康盈半导体 2023-08-01
康盈UDIMM（DDR5）
康盈UDIMM（DDR5）

运行速率高达6400Mbps，Intel XMP 认证，支持 INTEL XMP 3.0技术，CL32超低时序。

康盈半导体 2023-08-01
康盈SO-DIMM（DDR4）
康盈SO-DIMM（DDR4）

原生运行速率高达3200Mbps，符合JEDEC国际标准，1.2V工作电压，更高效能更低功耗。

康盈半导体 2023-08-01
康盈SO-DIMM（DDR5）
康盈SO-DIMM（DDR5）

采用优质DRAM资源，符合JEDEC标准；性能稳定，兼容性强，低延迟。

康盈半导体 2023-08-01
康盈UDIMM（DDR4）
康盈UDIMM（DDR4）

原生运行速率高达3200Mbps，Intel XMP 认证，支持 INTEL XMP 2.0技术。

康盈半导体 2023-08-01
康盈UDIMM（DDR5）
康盈UDIMM（DDR5）

采用优质DRAM资源，符合JEDEC标准；性能稳定，兼容性强，低延迟。

康盈半导体 2023-08-01
Kingston DDR5
Kingston DDR5

DDR5 5600MT/s Non-ECC Unbuffered DIMM

金士顿 2023-06-08

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厂商快讯

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⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

⊙01-08 18:12

高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

⊙01-08 10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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