SiS810 SSD控制芯片
SiS810 SSD控制芯片

采用PCIe Gen3高速接口，读写速度1600MB/s及1200MB/s。

矽统科技 2018-06-01
USB3.0 TransMemory U364
USB3.0 TransMemory U364

兼容USB 2.0/USB 3.0接口，最大读取速度150MB/s，32GB、64GB、128GB和256GB四种容量选择。

铠侠 2018-05-30
Intel Optane 905P SSD系列
Intel Optane 905P SSD系列

采用3D Xpoint，PCIe NVMe 3.0 x4接口，Add-In-Card（扩展卡）和U.2两种形态。

英特尔 2018-05-26
Toshiba XS700系列
Toshiba XS700系列

采用东芝64层BiCS 3D闪存，速度可达传统机械硬盘的4.5倍，支持USB 3.1 Gen 2 Type-C连接。

铠侠 2018-05-23
台电幻影系列NP800
台电幻影系列NP800

采用3D NAND，PCIe 3.0×4传输通道，支持NVMe 1.3协议，240-960GB容量选择。

台电 2018-05-23
三星EVO升级版MicroSD卡
三星EVO升级版MicroSD卡

采用UHS-I 接口，传输速度95MB/s，64-256GB容量选择。

三星 2018-05-16
超高速N203 UHS-I卡
超高速N203 UHS-I卡

16GB、32GB、64GB、128GB、256GB五种容量选择，最大读取速度可达100MB/s。

铠侠 2018-05-16
Samsung 3D TLC ADGU0D
Samsung 3D TLC ADGU0D

Samsung 3D TLC ADGU0D采用16nm工艺，提供16GB容量选择。

三星 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0F
Samsung 3D TLC ADGU0F

Samsung 3D TLC ADGU0F采用15nm工艺，提供16Gb容量选择。

三星 2018-05-10
时创意消费级SSD P20C
时创意消费级SSD P20C

采用3D TLC，M.2 2242规格形态，M.2 PCIe Gen3×2 M Key接口，提供128GB~1TB容量选择。

时创意 2018-05-07
innodisk 3SR3-P系列SSD
innodisk 3SR3-P系列SSD

采用SLC NAND，2.5寸形态、SATA III 6.0Gb/s接口，提供8GB-512GB容量选择。

宜鼎国际 2018-05-01
innodisk 3IE4系列SSD
innodisk 3IE4系列SSD

采用iSLC NAND，2.5寸形态、SATA III 6.0Gb/s接口，提供8GB-128GB容量选择。

宜鼎国际 2018-05-01
innodisk 3TG6-P系列SSD
innodisk 3TG6-P系列SSD

采用3D TLC，2.5寸形态、SATA III接口，提供128GB-4TB容量选择。

宜鼎国际 2018-05-01
innodisk 3TE7系列SSD
innodisk 3TE7系列SSD

采用3D TLC，2.5寸形态、SATA III接口，提供32GB-1TB容量选择。

宜鼎国际 2018-05-01
innodisk 3SE4系列SSD
innodisk 3SE4系列SSD

采用SLC NAND，2.5寸形态、SATA III接口，提供8GB-64GB容量选择。

宜鼎国际 2018-05-01

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厂商快讯

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⊙01-19 19:04

南亚科技2025Q4营业收入达 300.94 亿新台币，环比增长 60.3%，季度 DRAM ASP（平均售价）环比增长超三成，销售规模亦增长超 10%；毛利率达到 49.0%，相较 Q3 提升 30.5 个百分点；营业利润率达 39.1%，相较 Q3 提升 33.1 个百分点。南亚科预计2026 年资本支出约 500 亿新台币，作为对比，该司 2025年实际支出仅134 亿新台币。

⊙01-19 10:35

美光宣布，将以18亿美元收购力积电位于台湾苗栗县桐洛的P5晶圆厂。据双方近期签署的意向书显示，此次收购预计将于第二季度完成，收购完成后，美光将从明年下半年开始获得相当可观的DRAM产能。此外，美光将和力积电建立DRAM先进封装的长期晶圆代工关系，美光也将协助力积电在新竹P3厂精进现有利基型DRAM制程技术。

⊙01-19 10:30

SK海力士最新推出的LPDDR5X车用DRAM产品荣获ASIL-D（汽车安全完整性等级D）认证，这是国际汽车功能安全标准ISO 26262下的最高安全等级。

⊙01-16 16:56

据韩媒报道，熟知三星电子内情的相关人士透露，近期三星电子1c DRAM良率已接近60%，该良率确保了超过盈亏平衡点。

⊙01-15 14:57

受惠存储价格走扬与需求回温，宜鼎国际2025年第四季度单季营收达48.06亿元（新台币，下同），环比增长26.25%，同比增长115.74%，带动全年营收达142.61亿元，同比增长近六成，创下历史新高。展望今年第一季，宜鼎看好整体需求动能延续，DRAM 与NAND Flash 价格皆持续上扬，其中Flash价格自去年第三季才开始反映供需变化，涨势仍在加速阶段，首季涨幅可望与DRAM 相当。

⊙01-15 14:25

据韩媒etnews引述业内人士报道，SK海力士已将其无锡工厂的现有1z工艺升级为1a工艺。目前，SK海力士无锡工厂基于12英寸晶圆的DRAM月产能为18万至19万片，其中约90%的产能为1a工艺。无锡工厂的产量占SK海力士DRAM总产量的30%至40%。

与此同时，SK海力士预计将加快其韩国DRAM晶圆厂向1c工艺的升级改造。1c升级的投资将集中在位于利川的M14和M16晶圆厂。其未来的生产结构将是：通用DRAM产品在中国生产，而尖端DRAM产品在韩国生产。

⊙01-15 14:04

据韩媒报道，业内人士透露，英伟达2025年第四季度再次提高了对三星电子和SK海力士的HBM4芯片供应标准。作为回应，三星电子正在修改其逻辑芯片设计，并与代工部门合作，重点关注散热控制和性能提升，加快研发进度。三星电子内部人士表示，提高数据传输速度并不难，只需对逻辑芯片的设计和工艺进行一些改进即可实现。达到英伟达提出的每引脚13Gbps的传输速度是可能的，只是散热存在问题，但这个问题很快就能解决。

⊙01-15 11:05

SK海力士美国法人长柳成洙（音译）近日在接受路透社采访时透露，SK海力士将在 2027 年 2 月提前3个月开放韩国龙仁新园区的首家工厂。同时，计划从下月起在清州新建的 M15X 工厂投放硅晶圆，正式启动HBM芯片的生产。

⊙01-15 09:38

台媒报道，威刚科技宣布投资1亿美元（约合新台币31.4亿元/人民币6.97亿元），从The Film Property Trust收购Weta FX Limited普通股1,366.75万股，每股作价7.3166美元。交易完成后，威刚将持有Weta FX 25%的股权，成为其重要战略股东。此项投资主要着眼于人工智能（AI）技术在影视内容、数字特效及虚拟制作等领域的长期发展潜力，以切入AI内容应用的新蓝海市场。

⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

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