innodisk iCF 1ME存储卡

采用MLC NAND，PATA接口，提供8~256GB容量选择，顺序读写最大110/110MB/秒。

产品分类：闪存卡 品牌：宜鼎国际
应用领域： 工业自动化
产品白皮书 发布于：2013-04-12
innodisk iCF 1ME存储卡 共12个产品
型号 容量 接口类型 NAND Flash 速度(读) 速度(写) 工作温度 尺寸
DECFC-08GD53BC1SC 8GB PATA MLC NAND 最高110MB/秒 最高110MB/秒 0°C - 70°C 42.8mm x 36.4mm x 3.3mm
DECFC-16GD53BC1SC 16GB PATA MLC NAND 最高110MB/秒 最高110MB/秒 0°C - 70°C 42.8mm x 36.4mm x 3.3mm
DECFC-32GD53BC1DC 32GB PATA MLC NAND 最高110MB/秒 最高110MB/秒 0°C - 70°C 42.8mm x 36.4mm x 3.3mm
DECFC-64GD53BC1DC 64GB PATA MLC NAND 最高110MB/秒 最高110MB/秒 0°C - 70°C 42.8mm x 36.4mm x 3.3mm
DECFC-A28D53BC1DC 128GB PATA MLC NAND 最高110MB/秒 最高110MB/秒 0°C - 70°C 42.8mm x 36.4mm x 3.3mm
DECFC-B56D53BC1DC 256GB PATA MLC NAND 最高110MB/秒 最高110MB/秒 0°C - 70°C 42.8mm x 36.4mm x 3.3mm
DECFC-08GD53BW1SC 8GB PATA MLC NAND 最高110MB/秒 最高110MB/秒 -40°C - 85°C 42.8mm x 36.4mm x 3.3mm
DECFC-16GD53BW1SC 16GB PATA MLC NAND 最高110MB/秒 最高110MB/秒 -40°C - 85°C 42.8mm x 36.4mm x 3.3mm
DECFC-32GD53BW1SC 32GB PATA MLC NAND 最高110MB/秒 最高110MB/秒 -40°C - 85°C 42.8mm x 36.4mm x 3.3mm
DECFC-64GD53BW1DC 64GB PATA MLC NAND 最高110MB/秒 最高110MB/秒 -40°C - 85°C 42.8mm x 36.4mm x 3.3mm
DECFC-A28D53BW1DC 128GB PATA MLC NAND 最高110MB/秒 最高110MB/秒 -40°C - 85°C 42.8mm x 36.4mm x 3.3mm
DECFC-B56D53BW1DC 256GB PATA MLC NAND 最高110MB/秒 最高110MB/秒 -40°C - 85°C 42.8mm x 36.4mm x 3.3mm

产品概览

Innodisk Industrial Compact Flash 1ME存储卡（iCF 1SE）提供高容量固态闪存，电气符合与IDE磁盘驱动器电气兼容的True IDE模式。原始CF外形卡可用于任何具有CF插槽的系统。

iCF 1ME旨在取代传统的旋转磁盘驱动器，是用于移动计算和工业工作场所的嵌入式固态数据存储系统。具有极其轻巧，可靠，薄型的外形。支持高级PIO（0-6），多字DMA（0-4），Ultra DMA（0-7）传输模式，多扇区传输和LBA寻址。

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⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

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力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

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高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

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美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

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三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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