建兴MU3 SATA SSD系列
建兴MU3 SATA SSD系列

采用SATA 6.0Gb/s接口，连续读写速度可达550MB/s与490MB/s，提供120/240GB容量选择。

建兴电子 2017-09-22
SM2262 SSD控制芯片
SM2262 SSD控制芯片

八通道设计，支持32bit DRAM缓存，支持第二代LDPC纠错技术，同时封装兼容上代SM260。

慧荣 2017-09-22
SM2263 SSD控制芯片
SM2263 SSD控制芯片

四通道，支持16bit DRAM缓存，持续读写最高可达2.4GB/s、1.7GB/s，随机读写则可达300K IOPS、250K IOPS。

慧荣 2017-09-22
闪迪高速酷捷OTG USB3.0系列
闪迪高速酷捷OTG USB3.0系列

速度高达150MB/s，可轻松在Android设备和台式或笔记本电脑之间移动和共享文件。

闪迪 2017-09-20
Toshiba BG3系列
Toshiba BG3系列

采用M.2接口(为方便使用还有M.2 2230扩展卡)，PCI-E 3.0 x2通道，支持NVMe，容量和上代一样128GB、256GB、5

铠侠 2017-09-06
USB3.0 TransMemory U363
USB3.0 TransMemory U363

采用东芝NAND Flash，USB3.0高速接口，数据传输高效快捷，最大读取速度可以达到120MB/s。

铠侠 2017-09-06
innodisk 3ME2系列MicroSD
innodisk 3ME2系列MicroSD

采用MLC NAND，符合SD3.0和SD2.0规范，提供8-64GB容量选择。

宜鼎国际 2017-08-24
三星T5系列便携式SSD
三星T5系列便携式SSD

采用64层V-NAND颗粒，USB Type-C接口，支持USB 3.1 Gen.2 10Gbps，传输速度540MB/s。

三星 2017-08-16
至尊高速移动microSD UHS-I系列
至尊高速移动microSD UHS-I系列

16-400GB容量选择，传输速度100MB/s，适用于记录和观看全高清视频。

闪迪 2017-08-16
ADATA XPG SX9000 M.2系列
ADATA XPG SX9000 M.2系列

采用Marvell控制芯片搭配PCIe Gen3x4接口，读写速度可达每秒2800/1450MB，符合NVMe 1.2标准。

威刚 2017-08-15
SM2262EN SSD控制芯片
SM2262EN SSD控制芯片

PCIe Gen3 x4接口，八通道设计，支持32bit DRAM缓存，支持第二代LDPC纠错技术。

慧荣 2017-08-10
SM2263EN SSD控制芯片
SM2263EN SSD控制芯片

PCIe Gen3 x4接口，四通道设计，支持32bit DRAM缓存，支持第二代LDPC纠错技术。

慧荣 2017-08-10
Phison UFS 2.1系列
Phison UFS 2.1系列

采用最新3D TLC制程NAND Flash，符合UFS 2.1规范，连续读写速度920/550MB/s，随机读写可达67K/62K IOPS。

群联 2017-08-10
美光企业级9200系列NVMe SSD
美光企业级9200系列NVMe SSD

最高提供11TB容量，具备3D NAND成本优势，支持高吞吐量和响应时间，符合NVMe协议，PCIe Gen 3接口传输。

美光 2017-08-09
Toshiba SG6系列
Toshiba SG6系列

采用SATA 3.0 6Gbps接口，提供2.5寸、M.2 2280两种形态，容量均有256GB、512GB、1024GB三种。

铠侠 2017-08-08

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厂商快讯

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⊙01-19 19:04

南亚科技2025Q4营业收入达 300.94 亿新台币，环比增长 60.3%，季度 DRAM ASP（平均售价）环比增长超三成，销售规模亦增长超 10%；毛利率达到 49.0%，相较 Q3 提升 30.5 个百分点；营业利润率达 39.1%，相较 Q3 提升 33.1 个百分点。南亚科预计2026 年资本支出约 500 亿新台币，作为对比，该司 2025年实际支出仅134 亿新台币。

⊙01-19 10:35

美光宣布，将以18亿美元收购力积电位于台湾苗栗县桐洛的P5晶圆厂。据双方近期签署的意向书显示，此次收购预计将于第二季度完成，收购完成后，美光将从明年下半年开始获得相当可观的DRAM产能。此外，美光将和力积电建立DRAM先进封装的长期晶圆代工关系，美光也将协助力积电在新竹P3厂精进现有利基型DRAM制程技术。

⊙01-19 10:30

SK海力士最新推出的LPDDR5X车用DRAM产品荣获ASIL-D（汽车安全完整性等级D）认证，这是国际汽车功能安全标准ISO 26262下的最高安全等级。

⊙01-16 16:56

据韩媒报道，熟知三星电子内情的相关人士透露，近期三星电子1c DRAM良率已接近60%，该良率确保了超过盈亏平衡点。

⊙01-15 14:57

受惠存储价格走扬与需求回温，宜鼎国际2025年第四季度单季营收达48.06亿元（新台币，下同），环比增长26.25%，同比增长115.74%，带动全年营收达142.61亿元，同比增长近六成，创下历史新高。展望今年第一季，宜鼎看好整体需求动能延续，DRAM 与NAND Flash 价格皆持续上扬，其中Flash价格自去年第三季才开始反映供需变化，涨势仍在加速阶段，首季涨幅可望与DRAM 相当。

⊙01-15 14:25

据韩媒etnews引述业内人士报道，SK海力士已将其无锡工厂的现有1z工艺升级为1a工艺。目前，SK海力士无锡工厂基于12英寸晶圆的DRAM月产能为18万至19万片，其中约90%的产能为1a工艺。无锡工厂的产量占SK海力士DRAM总产量的30%至40%。

与此同时，SK海力士预计将加快其韩国DRAM晶圆厂向1c工艺的升级改造。1c升级的投资将集中在位于利川的M14和M16晶圆厂。其未来的生产结构将是：通用DRAM产品在中国生产，而尖端DRAM产品在韩国生产。

⊙01-15 14:04

据韩媒报道，业内人士透露，英伟达2025年第四季度再次提高了对三星电子和SK海力士的HBM4芯片供应标准。作为回应，三星电子正在修改其逻辑芯片设计，并与代工部门合作，重点关注散热控制和性能提升，加快研发进度。三星电子内部人士表示，提高数据传输速度并不难，只需对逻辑芯片的设计和工艺进行一些改进即可实现。达到英伟达提出的每引脚13Gbps的传输速度是可能的，只是散热存在问题，但这个问题很快就能解决。

⊙01-15 11:05

SK海力士美国法人长柳成洙（音译）近日在接受路透社采访时透露，SK海力士将在 2027 年 2 月提前3个月开放韩国龙仁新园区的首家工厂。同时，计划从下月起在清州新建的 M15X 工厂投放硅晶圆，正式启动HBM芯片的生产。

⊙01-15 09:38

台媒报道，威刚科技宣布投资1亿美元（约合新台币31.4亿元/人民币6.97亿元），从The Film Property Trust收购Weta FX Limited普通股1,366.75万股，每股作价7.3166美元。交易完成后，威刚将持有Weta FX 25%的股权，成为其重要战略股东。此项投资主要着眼于人工智能（AI）技术在影视内容、数字特效及虚拟制作等领域的长期发展潜力，以切入AI内容应用的新蓝海市场。

⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

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