美光 HBM4 采用 2048 位接口，每个内存堆栈的速度超过 2.0 TB/s，性能较上一代提升 60% 以上，将帮助 AI 加速器更快地响应并更有效地进行推理。

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SK海力士将把4F² VG（垂直栅极）平台和3D DRAM技术应用于10纳米及以下工艺，并在结构、材料和组件方面进行创新。

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威刚董事长陈立白称，现阶段不论渠道或品牌系统厂客户都积极回补库存，工厂产能自第一季已满载至8月，本季营运绩效可望再上一层楼。

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群联DRAM-Less PCIe 5.0 SSD控制芯片E31T已正式开始放量出货，这款产品主打高效能与低功耗的最佳平衡，适用轻薄笔电与掌上型游戏机等移动平台。

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铠侠强调资本效率优先，计划将资本支出控制在营收的20%以内，并动态调整投资节奏。其四日市和北上工厂通过AI优化生产，确保成本竞争力，同时日本后端工厂将扩大规模以支持先进封装需求。

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美光1γ LPDDR5X提供8GB到32GB多种容量选择，预计将于2026年应用于旗舰智能手机。

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存储设备的兼容情况影响终端系统的运行效率与稳定性，德明利兼容性实验室通过构建多维度验证体系，为四大产品线提供系统兼容性、互操作性、能效和性能优化的关键测试。

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佰维特存深刻理解工业场景对存储稳定、可靠、不间断运行的严苛要求，推出专为工业大数据传输打造的 TDP200 系列工业级 M.2 PCIe SSD。

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预估今年下半年至2026年，力成与多家存储原厂商合作HBM封测进展，可逐步明朗。目前力成HBM每月产能可到2,000片晶圆规模，后续将根据客户良率和制程合作需要，逐步扩大HBM封测布局。

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华邦电子强调，CUBE并非用来取代HBM，而是填补HBM与传统DRAM之间的市场空缺。以HBM3E为例，1GB产品的售价约为标准DRAM的7倍，华邦电子CUBE价格仅为其一半，同时可提供2GB、4GB、8GB等弹性容量组合，适用于不需大容量却需高带宽与低热负载的SoC应用。

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南亚科技将在第3季前去化所有库存，加上1B制程良率提升，有利产品组合，下半年营运可望量价齐扬，力求第4季营运转盈。

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时创意步入到第四个五年的“创品”阶段。在研发投入方面，企业成立至今，时创意固定资产/研发投入累计已近15亿元；2025年各项人才发展关键指标逐步提升，技术研发人才占比提升至35%。

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佰维存储在COMPUTEX 2025展示了其涵盖消费级、嵌入式存储在内的多元化产品矩阵，全面展现其面向AI时代的技术创新能力和全球化品牌运营实力。

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SK海力士此次开发的新品较上一代基于238层NAND闪存的产品能效提升了7%。同时，成功产品厚度从1mm减薄至0.85mm，使其能够适配超薄智能手机。

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德明利通过端侧适配方案、全栈技术整合及全球化布局，展现存储技术的革新力量。

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