铠侠与闪迪共同宣布，双方将铠侠位于四日市工厂的合资协议延长五年。该协议原定于2029年12月31日到期，现续签至2034年12月31日。双方将继续利用人工智能赋能的智能制造和规模经济，确保先进3D闪存的稳定生产。此外，铠侠北上工厂的合资协议与四日市工厂的协议一致，有效期至2034年12月31日。根据这项续签协议，闪迪将向铠侠支付11.65亿美元，用于支付制造服务和持续供货费用。这笔款项将在2026年至2029年期间分期支付。

铠侠29日周四发布声明，宣布现年63岁的执行副总裁Hiroo Oota将接替70岁的Nobuo Hayasaka成为首席执行官兼总裁，Nobuo Hayasaka将转任高级执行顾问。这项任命将在公司定于6月举行的年度股东大会上获得批准后正式生效。Hiroo Oota是一位资深的半导体行业专家，于1985年加入东芝，曾在东芝存储器公司（后更名为铠侠）担任工程职务。

铠侠宣布，采用铠侠第八代 BiCS FLASH™ 3D 闪存技术的QLC UFS 4.1嵌入式产品已开始送样，提供512GB和1TB两种容量选择。

据韩媒报道，铠侠存储事业部总经理中户俊介近日表示，铠侠2026年的全部产能已经售罄，预计这一趋势至少会持续到2027年。他表示，公司不会优先向出价最高的供应商供货，而是与长期合作伙伴共同制定年度供货计划，并据此进行分配。

铠侠发布 KIOXIA BG7 系列SSD，这是首款采用该司最新 BiCS FLASH™ 第八代 3D 闪存和创新 CMOS 直接键合阵列 (CBA) 技术的客户端解决方案，专为 PC 用户设计。随机读写速度高达 1,000,000 IOPS，顺序读取速度高达 7,000 MB/s，相比前代 KIOXIA BG6 系列，性能分别提升约 10% 和 16%。此外，得益于 CBA 技术、高效控制电路和优化的 SSD 控制器，顺序写入性能的能效提升了约 67%。

铠侠即将推出 EXCERIA G3 SSD 系列，采用BiCS FLASH™ 第八代 QLC 闪存，顺序读取速度高达 10,000 MB/s，写入速度高达 9,600 MB/s，容量最高可达 2TB。预计将于 2025 年第四季度上市。

铠侠宣布，其研发出的高度可堆叠氧化物-半导体沟道晶体管将使高密度、低功耗3D DRAM的实际应用成为可能。该技术有望降低包括人工智能服务器和物联网组件在内的众多应用领域的功耗。

据日媒报道称，为抢攻AI数据中心需求，铠侠将在2026年利用岩手北上工厂开始生产第10代的NAND Flash，其堆叠数从现行第8代的218层增加至332层，每单位面积的存储容量提升59%、数据传输速度改善33%，能耗也会降低。报道称，铠侠不会盖新厂，而是活用今年9月投产的北上工厂第2厂房(K2)生产第10代NAND Flash。

据日媒报道，铠侠控股（HD）已启动一项计划，利用生成式人工智能（AI）寻找可用于NAND闪存制造的新材料。

铠侠旗下SSSTC推出新一代企业级固态硬盘 (SSD)——ER4 系列 SATA SSD。该系列产品容量高达 16 TB，顺序读写速度分别为550 MB/s 和 530 MB/s，随机读写速度分别为98K/30K IOPS，其中 8 TB 型号随机读写速度可达98K/55K IOPS。ER4系列采用 2.5 英寸 SATA 6 Gb/s 标准接口，并支持热插拔，可直接替换传统硬盘驱动器 (HDD)。这使得企业能够在保持现有基础设施不变的情况下无缝升级存储，并优化成本效益。