英伟达以129.3亿美元收购Hugging Face

据业界消息，美光计划在今年年底前将其HBM产能每月增加至多6万片晶圆。2025年美光的HBM月产量约为4万至5万片晶圆。知情人士透露，美光正在推进大规模的设施投资，以迅速提升其HBM4产能。到今年年底，该司将确保每月约10万片晶圆的HBM产能。为了确保这一产能，美光正在向多家HBM制造设备供应商增加采购订单。

英伟达宣布，NVIDIA RTX Spark Windows PC将于今年10月上市，全新发布的产品设计将与现有6家OEM厂商的产品一同于10月出货。NVIDIA还公布了RTX Spark N1X芯片的首个官方规格，将提供两种配置。其中一个版本将采用20核Grace CPU和6144核Blackwell GPU，并配备24GB至128GB的统一内存，可用于笔记本电脑和桌面主机。另一个版本则采用18核CPU和5120核Blackwell GPU，并配备24GB至32GB的统一内存，此版本仅用于笔记本电脑。

英伟达宣布，已同意以129.3亿美元收购Hugging Face。Hugging Face是全球最大的AI模型共享平台，拥有超过1800万开发者和研究人员用户，平台上共享着超过30万个AI模型。英伟达强调，Hugging Face在收购后仍将保持独立开放平台的地位。开发者无需使用NVIDIA的图形处理器（GPU），可以自由选择他们偏好的GPU型号、框架、云服务和计算平台。

当地时间9月3日，美股三大股指集体收涨。截至收盘，道琼斯工业平均指数涨1.18%，报53686.11点；纳斯达克指数涨1.4%，报26584.06点；标普500指数涨1.06%，报7747.71点。其中，大型科技股多数收涨，微软涨超2%，英伟达、亚马逊、谷歌A、谷歌C均涨超1%、0.53%，苹果涨1%，AMD跌0.2%，高通跌0.28%；存储板块涨跌不一，SK海力士跌0.79%，希捷、西部数据跌超1%，闪迪涨0.1%，美光涨0.22%。

紫光闪芯发布紫光闪存 E5300系列eSSD，采用国产主控 + SK 海力士 3D eTLC，支持 PCIe Gen5 ×4 接口，符合 NVMe 2.0 规范。覆盖 U.2、EDSFF E1.S、EDSFF E3.S 外形规格，单盘容量可达 30.72TB，顺序性能至高可达 14GB/s、随机性能至高可达 3500K IOPS。

宏碁董事长暨执行长陈俊圣近日表示，受存储芯片涨价影响，下半年个人电脑出货量可能受到压抑，但因产品单价提高，宏碁仍力拼整体营收成长；同时调整产品设计理念，预留存储和主机板等零件升级空间，借此延长PC产品生命周期。

据业界消息，华为计划于9月发布的Mate 90系列，有望首发搭载基于韬定律打造的新一代麒麟芯片，预计命名为麒麟9050 Pro。爆料指出，麒麟9050 Pro将成为首批支持LPDDR6内存的手机芯片，华为可能今年推出搭载LPDDR6内存的高端旗舰机型。

乘联分会初步统计，8月1-31日，全国乘用车新能源市场零售106.9万辆，同比去年8月同期下降4%，较上月同期增长12%，今年以来乘用车新能源市场累计零售673.7万辆，同比去年8月同期下降11%；8月1-31日，全国乘用车厂商新能源批发150.6万辆，同比去年8月同期增长16%，较上月同期增长4%，今年以来乘用车厂商新能源批发累计975.4万辆，同比增长9%。

澜起科技最新投资者关系活动记录表显示，该司7月在业界率先试产CXL3.2MXC芯片并成功导入三星、SK海力士下一代CXL产品，预计2027年进入CXL规模商用元年。PCIeSwitch芯片预计年内完成工程样片流片，PCIe6.x/CXL3.xRetimer芯片已完成量产版本流片并列入PCI-SIG供应商名录，计划今年完成PCIe7.0Retimer及以太网PHYRetimer芯片工程样片流片。DDR5第六子代RCD芯片已送样，支持速率达9200MT/s，第五子代开始规模出货，第三四子代合计出货占比突破50%。第二子代MRCD/MDB芯片处于规模试用阶段，大规模上量需等待新一代CPU明年量产。时钟芯片已收到量产订单，高精度RTC芯片预计下半年完成工程样片流片。AI服务器CPU配置比例提升将带动内存模组及互连芯片需求增长。

据韩媒dealsite报道，SK海力士正在加大光州西南地区半导体生产基地的投资力度。据了解，公司内部正在探讨将龙仁半导体集群与光州投资并行推进的方案。由于龙仁项目是长期投资和建设工程，公司正在制定统筹规划，在兼顾光州实际情况的同时，推进与龙仁集中投资并行的投资方案。据悉，目前正在讨论是将原计划投入龙仁新工厂的部分设备分配给光州，还是为光州额外订购新设备，具体将视情况而定。进度方面，预计将从2027年起对光州军用机场用地进行整备并启动基础施工，目标在2029年完成第一座晶圆厂的竣工。龙仁新工厂的投资也按计划推进中，据业界透露，SK海力士的目标是第一座工厂的1期洁净室于2027年2月启用，2期于同年8月启用。

美国商务部长霍华德・卢特尼克近日接受采访时表示，特朗普政府正在制定芯片关税框架，相关关税即将落地。卢特尼克部长告诉CNBC电视台，将采取有针对性且审慎的关税政策。他解释道，如果在美国生产，就不需要缴纳关税；否则，就必须准备为进入全球最大市场付出代价。据悉，关税范围最终可能不仅限于芯片本身，还会扩展到配备半导体的成品，例如笔记本电脑、游戏机和数据中心服务器。

据媒体报道，美光正探索开发高耐久性NAND闪存模块的方案，研究如何将NAND闪存更靠近GPU，以处理那些不需要传统HBM或常规DRAM模块那样高延迟和高带宽的工作负载。这种架构目前被称为“近GPU NAND”（Near-GPU NAND），旨在兼顾密度和耐久性。该方案允许GPU访问密度低于传统TLC或QLC NAND的NAND闪存池，但重点在于提升I/O速度、带宽和读取速度。该技术将使GPU能够直接访问数百GB的潜在存储池，LLM将不再受限于内存。

近日，高通进一步披露了新一代 Adreno GPU的变化。高通下一代SoC将成为首款在图形处理管线中配备专用AI GPU核心的芯片组。这“矩阵核心”将紧密集成在新Adreno GPU的三个1.45GHz GPU切片中。骁龙芯片的Adreno GPU还将配备专用的18MB HPM（高性能内存）缓存。这一容量听起来或许并不起眼，但高通表示，其HPM能为GPU提供大容量、低延迟的内存，使得基于图块的渲染、帧缓冲区和计算任务能够保留在图形子系统本地。

南亚科技公告2026年8月合并营收新台币446.9亿元，月增1.9％、年增560.9％，再创单月历史新高；1-8月累计营收新台币2,201.94亿元，较去年同期大增638.2％。法人认为，2026年DRAM市况维持正向，价格走势呈逐季向上，预计今年下半年DDR4价格仍有20％以上涨幅。南亚科技第三季毛利率可望续扬，第四季有机会维持与第三季相近水准。此外，AI带动高阶DRAM需求，加上DDR4供给持续收敛，将成为南亚科技下半年营运主要成长动能。

当地时间9月2日，美股三大股指集体收涨。截至收盘，道琼斯工业平均指数涨0.56%，报收53061.95点；纳斯达克指数涨0.45%，报收26217.83点；标普500指数涨0.46%，报收7666.6点。其中，大型科技股涨跌互现，英伟达涨超3%，高通涨超2%，谷歌A、谷歌C分别涨0.63%、0.53%，亚马逊涨0.02%，微软、AMD、苹果分别跌0.84%、0.55%、0.05%；存储板块表现分化，SK海力士、美光涨超2%，闪迪涨超1%，希捷跌0.99%，西部数据跌0.34%。

中兴通讯终端事业部总裁、努比亚技术有限公司总裁倪飞发文称，努比亚 NaviX Ultra 已正式拿到入网许可，并宣布豆包手机（预计指努比亚 NaviX Ultra）计划 9 月开售。

美光表示将向中国台湾地区员工发放历年最高的绩效奖金，具体激励奖金分红方案预计在 10 月公布，在此之前将持续通过既有沟通渠道与团队成员保持对话。

据媒体报道，英伟达已经重新启动此前搁置的Rubin CPX项目，预计明年一季度投产。相较于先前设计，新版CPX大幅强化预填充(prefill)效能，并对其规格和机架架构作出重大改动。DRAM规格由原来采用128GB GDDR7改为采用168GB HBM4，机架改用独立MGX ETL设计，客户可选64/128/192/256颗GPU配置，每64颗构成一个机架模组，由八个运算托盘（各含8颗CPX）与一个交换托盘组成。

据媒体报道，台积电在将高带宽内存（HBM）与人工智能（AI）加速器相结合的高级封装中，预计短期内仍将采用现有的微凸点封装技术，而非混合键合技术。主要原因是在良率、检测和量产方面难以轻易放弃已获验证的方案。考虑到材料开发周期，预计更精细的微凸点将持续用到第四代后期至第五代初期的HBM中。据悉，台积电已向材料和设备合作厂商要求开发5微米（μm）级接合和底部填充技术，为进一步缩小目前先进封装中使用的微凸点尺寸。韩国和日本的供应链已开始投入开发，预计5微米级凸点的量产将于后年下半年实现。