消息称三星电子的温阳新HBM新厂将于下月动工

据韩媒报道，忠清南道于19日宣布，已完成城市规划委员会对三星电子在牙山温阳园区扩建半导体制造厂的必要审议。该扩建项目投资额达6万亿韩元，是在温阳园区内占地389,825 平方米的地块上建造一座新工厂，以扩大高性能AI半导体（如HBM）的生产。据悉，该投资是“韩国大跃进三大项目”中的首个项目。三星电子计划下个月开始建设新工厂，竣工日期尚未公布。 

据韩媒报道，三星电子将扩建并新建位于京畿道平泽半导体基地核心的“P5 1 和 2 工厂”，将现有的“双层晶圆厂”结构升级为“三层晶圆厂”。此举旨在顺应全球人工智能半导体和存储器“超级周期”的趋势，最大限度地提高产能。该产业园区规划修正案需经京畿道知事审核，并由国土交通部产业选址政策审议委员会批准后方可最终生效。

据外媒报道，Marvell向美国证券交易委员会提交的文件披露，该公司已扩大与谷歌的定制半导体合作。双方于7月29日签署了一项商业协议，涵盖人工智能推理加速器、存储控制器、网络接口控制器、内存接口控制器以及与谷歌TPU生态系统相关的近内存计算产品。作为合作的一部分，Marvell向谷歌授予认股权证，允许其以每股206.58美元的价格购买至多约5897万股Marvell普通股，总行权价值约为122亿美元。

当地时间8月19日，美股三大股指集体收涨。截至收盘，道琼斯工业平均指数涨幅0.22%，报53463.05点；纳斯达克指数涨幅0.16%，报26331.09点；标普500指数涨幅0.21%，报7707.98点。其中，大型科技股多数收涨，亚马逊、苹果涨超2%，高通涨超1%，微软涨0.56%，谷歌A、谷歌C分别涨0.15%、0.12%，AMD跌超3%，英伟达跌0.99%；存储板块多数收跌，希捷跌超7%，西部数据跌超6%，闪迪跌超3%，美光跌0.39%，SK海力士涨0.35%。

IDC最新数据显示，2026 年第二季度全球平板电脑出货量降至 3361 万台，环比下降 5.2%，同比下降 12.3%。随着 AI 基础设施建设持续从消费电子领域挤占 DRAM 和 NAND 产能，重塑 PC 和智能手机市场的内存超级周期如今已经全面冲击平板市场。其中，消费市场出货量同比下降 13.5%，商用市场更具韧性，同比下降 5.9%。

国产半导体设备制造商华海清科宣布，其新一代双工作台高效划切装备 Versatile-DT300D 首台装备正式出机，发往国内先进存储龙头企业。此次出机不仅标志着华海清科在划切装备领域实现新的突破，更证明了国产装备在先进封装与先进存储产线的可靠性与竞争力。

据外媒援引知情人士消息称，AI 芯片需求持续挤占先进制程产能，三星电子提高了部分先进制程晶圆代工新订单价格，最高涨幅达到 15%。其中，中国客户的需求尤其旺盛。消息称三星目前无法满足全部订单，因为公司既要为美国客户保留产能，也需要预留一部分产能生产自有芯片。

近段时间来，LP4X/5X资源涨价仍在持续，在考虑良率的情况下，单资源成本已高达$1.90/Gb以上，尽管当前多数LPDDR成品售价与资源成本倒挂，但低端LP产品持续以低价吸引终端客户，甚至出现部分客户倒卖库存加剧市场混乱，存储厂商短期内无法将资源价格上涨传导至成品，本周LPR4X/5X以及嵌入式eMMC、UFS价格不变。

经过近两个月的拉涨后，行业DDR5次级颗粒单价已高达超1.50美元/Gb，国内外原厂颗粒价差已缩小至不到10%。此前存储厂商已率先针对海外市场调高成品报价并推动价格落地；而大陆市场受国产颗粒持续涨价，存储厂商近期也正相应地拉动成品报价上涨，个别大陆客户在特定高端项目上开始接受新定价。本周行业16Gb DDR5内存条价格小幅调涨，其余价格暂时不变。

内存条(行业市场)：DDR5 SODIMM 16GB 5600 涨 1.29% 至 $235.00。

正值开学季前，渠道市场并未出现明显拉货动作，包括整机在内的渠道客户需求整体表现均普遍平淡。不过，近期渠道DDR5资源价格有所上涨且供应较为有限，渠道厂商跟随成本上扬而调涨相关DDR5内存条价格。本周渠道DDR5内存条全面上涨，渠道DDR4内存条和SSD价格持平。

内存条(渠道市场)：DDR5 UDIMM 16GB 5600 涨 10.06% 至 $175.00，DDR5 UDIMM 16GB 6000 涨 11.11% 至 $180.00，DDR5 UDIMM 32GB 5600 涨 7.28% 至 $280.00，DDR5 UDIMM 32GB 6000 涨 7.41% 至 $290.00。

上游资源方面，今日Flash Wafer价格基本不变，DDR5 16Gb eTT价格上涨至24.40美元。

DDR：DDR5 16Gb eTT 涨 6.09% 至 $24.40。

SK海力士宣布，将回购价值40万亿韩元的股份并予以全部注销。SK海力士计划在股东回报政策期间（2025年至2027年）内，返还累计自由现金流（FCF）的50%以上，并行实施股份回购注销和分红。SK海力士计划自8月20日起，在约3个月内完成回购，并于回购结束后予以全部注销。

据外媒报道，OpenAI 2026年第二季度营收为67亿美元，较第一季度的57亿美元增长18%；但该公司营业利润率仍为负值，其运营亏损（包括股权激励支出）从第一季度的93亿美元扩大至123亿美元，亏损增长速度超过收入增长速度。不过，有消息人士透露，随着7月份新模型的推出，OpenAI第三季度的增长速度有望加快。

百度联合创始人、董事长兼首席执行官李彦宏透露，昆仑芯在二季度已进一步覆盖Kimi K3、GLM 5.2、MiniMax M3、混元Hy3等主流大模型的更新版本，芯片适配范围持续扩大。昆仑芯已完成三代AI芯片的研发与商业化落地，未来产品路线清晰：面向大规模推理优化的最新款M100已推出，下一代M300将于2027年初正式上市。

据证监会网站披露，长江存储控股股份有限公司IPO辅导状态变更为“辅导验收”，辅导券商为中信证券和中信建投。

2026年二季度，兆易创新实现营收73.78亿元，环比增长76.2%；归母净利润53.96亿元，环比增长269.2%，扣非归母净利润34.73亿元，环比增长146.3%。上半年，兆易创新实现营业收入115.66亿元，同比增长178.67%；归母净利润68.57亿元，同比大幅增长1091.5%；扣非归母净利润48.83亿元，同比增长796.9%。报告期内，存储芯片行业供给紧张，公司存储芯片产品量价齐升；微控制器产品受益于工业、消费及汽车等领域的需求拉动，出货规模亦实现较好增长。具体来看，公司存储芯片营收同比大幅增长245.44%，其中利基型DRAM 及SLC NANDFlash同比高速增长。截至上半年报告期末，兆易创新存货金额为41.84亿元，较上年期末同比增长36.47%，主要是公司采购备货增加。

当地时间8月18日，美股三大股指集体收跌。截至收盘，道琼斯工业平均指数收报53343.4点，跌幅为0.22%；纳斯达克指数收报26289.71点，跌幅为1.33%；标普500指数收报7691.76点，跌幅为0.69%。其中，大型科技股表现分化，AMD跌超4%，英伟达跌超2%，高通跌超1%，亚马逊跌0.71%，谷歌C跌0.05%，苹果涨超1%，微软涨0.27%，谷歌A涨0.06%；存储板块普遍收跌，闪迪、SK海力士、希捷跌超9%，美光、西部数据跌超7%。

据报道，大数极限CTO王黎博士在近日的2026首届机械硬盘技术论坛暨产业大会上，围绕“HDD性能评价方案”作主题演讲。王黎博士提出的全新架构“M3 platform”，颠覆了机械硬盘传统架构，突破了传统HDD的性能上限，带宽提升20.3倍，随机读写性能提升了惊人的1000倍，这进一步拓宽了大容量存储设备的应用边界。大数极限公司将这种新型机械硬盘命名为“PMD”。

据业内人士透露，三星电子DS事业部已启动半导体工艺分析实验室的升级工作。该公司正通过合作伙伴引进新一代设备，用于验证半导体和晶圆电路图案并诊断缺陷。知情人士表示，三星正在筹备能够直接检测和分析晶圆的全新基础设施，超越目前在半导体芯片（晶粒）层面进行的工艺分析。据悉，三星电子在每个业务部门和生产线（包括存储器、晶圆代工和封装）都设有分析实验室，以执行评估和分析功能。分析实验室作为半导体制造的诊断基础设施，旨在确保良率和可靠性，并确定是否需要改进工艺。

据韩媒报道，三星电子将第7代10纳米级DRAM（1d DRAM）开发完成目标时间定于今年9月，并计划于12月启动量产移交，明年底有望实现首批量产。据悉，三星电子1d DRAM的良率提升速度超出预期，在高温环境下的热测试良率已达目标水平，目前正集中确保低温冷测试的良率。三星已宣布将1d DRAM应用于HBM5E，预计2030年左右推出产品。三星方面表示对研发进度难以确认。