CFM闪存市场Flash Wafer/DDR最新报价

IDC最新数据显示，2026 年第二季度全球平板电脑出货量降至 3361 万台，环比下降 5.2%，同比下降 12.3%。随着 AI 基础设施建设持续从消费电子领域挤占 DRAM 和 NAND 产能，重塑 PC 和智能手机市场的内存超级周期如今已经全面冲击平板市场。其中，消费市场出货量同比下降 13.5%，商用市场更具韧性，同比下降 5.9%。

国产半导体设备制造商华海清科宣布，其新一代双工作台高效划切装备 Versatile-DT300D 首台装备正式出机，发往国内先进存储龙头企业。此次出机不仅标志着华海清科在划切装备领域实现新的突破，更证明了国产装备在先进封装与先进存储产线的可靠性与竞争力。

据外媒援引知情人士消息称，AI 芯片需求持续挤占先进制程产能，三星电子提高了部分先进制程晶圆代工新订单价格，最高涨幅达到 15%。其中，中国客户的需求尤其旺盛。消息称三星目前无法满足全部订单，因为公司既要为美国客户保留产能，也需要预留一部分产能生产自有芯片。

近段时间来，LP4X/5X资源涨价仍在持续，在考虑良率的情况下，单资源成本已高达$1.90/Gb以上，尽管当前多数LPDDR成品售价与资源成本倒挂，但低端LP产品持续以低价吸引终端客户，甚至出现部分客户倒卖库存加剧市场混乱，存储厂商短期内无法将资源价格上涨传导至成品，本周LPR4X/5X以及嵌入式eMMC、UFS价格不变。

经过近两个月的拉涨后，行业DDR5次级颗粒单价已高达超1.50美元/Gb，国内外原厂颗粒价差已缩小至不到10%。此前存储厂商已率先针对海外市场调高成品报价并推动价格落地；而大陆市场受国产颗粒持续涨价，存储厂商近期也正相应地拉动成品报价上涨，个别大陆客户在特定高端项目上开始接受新定价。本周行业16Gb DDR5内存条价格小幅调涨，其余价格暂时不变。

内存条(行业市场)：DDR5 SODIMM 16GB 5600 涨 1.29% 至 $235.00。

正值开学季前，渠道市场并未出现明显拉货动作，包括整机在内的渠道客户需求整体表现均普遍平淡。不过，近期渠道DDR5资源价格有所上涨且供应较为有限，渠道厂商跟随成本上扬而调涨相关DDR5内存条价格。本周渠道DDR5内存条全面上涨，渠道DDR4内存条和SSD价格持平。

内存条(渠道市场)：DDR5 UDIMM 16GB 5600 涨 10.06% 至 $175.00，DDR5 UDIMM 16GB 6000 涨 11.11% 至 $180.00，DDR5 UDIMM 32GB 5600 涨 7.28% 至 $280.00，DDR5 UDIMM 32GB 6000 涨 7.41% 至 $290.00。

上游资源方面，今日Flash Wafer价格基本不变，DDR5 16Gb eTT价格上涨至24.40美元。

DDR：DDR5 16Gb eTT 涨 6.09% 至 $24.40。

SK海力士宣布，将回购价值40万亿韩元的股份并予以全部注销。SK海力士计划在股东回报政策期间（2025年至2027年）内，返还累计自由现金流（FCF）的50%以上，并行实施股份回购注销和分红。SK海力士计划自8月20日起，在约3个月内完成回购，并于回购结束后予以全部注销。

据外媒报道，OpenAI 2026年第二季度营收为67亿美元，较第一季度的57亿美元增长18%；但该公司营业利润率仍为负值，其运营亏损（包括股权激励支出）从第一季度的93亿美元扩大至123亿美元，亏损增长速度超过收入增长速度。不过，有消息人士透露，随着7月份新模型的推出，OpenAI第三季度的增长速度有望加快。

百度联合创始人、董事长兼首席执行官李彦宏透露，昆仑芯在二季度已进一步覆盖Kimi K3、GLM 5.2、MiniMax M3、混元Hy3等主流大模型的更新版本，芯片适配范围持续扩大。昆仑芯已完成三代AI芯片的研发与商业化落地，未来产品路线清晰：面向大规模推理优化的最新款M100已推出，下一代M300将于2027年初正式上市。

据证监会网站披露，长江存储控股股份有限公司IPO辅导状态变更为“辅导验收”，辅导券商为中信证券和中信建投。

2026年二季度，兆易创新实现营收73.78亿元，环比增长76.2%；归母净利润53.96亿元，环比增长269.2%，扣非归母净利润34.73亿元，环比增长146.3%。上半年，兆易创新实现营业收入115.66亿元，同比增长178.67%；归母净利润68.57亿元，同比大幅增长1091.5%；扣非归母净利润48.83亿元，同比增长796.9%。报告期内，存储芯片行业供给紧张，公司存储芯片产品量价齐升；微控制器产品受益于工业、消费及汽车等领域的需求拉动，出货规模亦实现较好增长。具体来看，公司存储芯片营收同比大幅增长245.44%，其中利基型DRAM 及SLC NANDFlash同比高速增长。截至上半年报告期末，兆易创新存货金额为41.84亿元，较上年期末同比增长36.47%，主要是公司采购备货增加。

当地时间8月18日，美股三大股指集体收跌。截至收盘，道琼斯工业平均指数收报53343.4点，跌幅为0.22%；纳斯达克指数收报26289.71点，跌幅为1.33%；标普500指数收报7691.76点，跌幅为0.69%。其中，大型科技股表现分化，AMD跌超4%，英伟达跌超2%，高通跌超1%，亚马逊跌0.71%，谷歌C跌0.05%，苹果涨超1%，微软涨0.27%，谷歌A涨0.06%；存储板块普遍收跌，闪迪、SK海力士、希捷跌超9%，美光、西部数据跌超7%。

据报道，大数极限CTO王黎博士在近日的2026首届机械硬盘技术论坛暨产业大会上，围绕“HDD性能评价方案”作主题演讲。王黎博士提出的全新架构“M3 platform”，颠覆了机械硬盘传统架构，突破了传统HDD的性能上限，带宽提升20.3倍，随机读写性能提升了惊人的1000倍，这进一步拓宽了大容量存储设备的应用边界。大数极限公司将这种新型机械硬盘命名为“PMD”。

据业内人士透露，三星电子DS事业部已启动半导体工艺分析实验室的升级工作。该公司正通过合作伙伴引进新一代设备，用于验证半导体和晶圆电路图案并诊断缺陷。知情人士表示，三星正在筹备能够直接检测和分析晶圆的全新基础设施，超越目前在半导体芯片（晶粒）层面进行的工艺分析。据悉，三星电子在每个业务部门和生产线（包括存储器、晶圆代工和封装）都设有分析实验室，以执行评估和分析功能。分析实验室作为半导体制造的诊断基础设施，旨在确保良率和可靠性，并确定是否需要改进工艺。

据韩媒报道，三星电子将第7代10纳米级DRAM（1d DRAM）开发完成目标时间定于今年9月，并计划于12月启动量产移交，明年底有望实现首批量产。据悉，三星电子1d DRAM的良率提升速度超出预期，在高温环境下的热测试良率已达目标水平，目前正集中确保低温冷测试的良率。三星已宣布将1d DRAM应用于HBM5E，预计2030年左右推出产品。三星方面表示对研发进度难以确认。

Lexar推出Thor Ultra 系列 PCIe 5.0 NVMe SSD，提供512 GB、1 TB、2 TB 和 4 TB四种容量选择。Thor Ultra 系列SSD采用 PCIe 5.0 x4 接口，6nm DRAM-less主控，1 TB、2 TB 和 4 TB 型号的顺序读取速度最高可达 11 GB/s，顺序写入速度最高可达 10 GB/s。512 GB 版本的速度稍慢一些，顺序读取速度最高可达 9.9 GB/s，顺序写入速度最高可达 5 GB/s。随机读写性能方面，读取 IOPS 最高可达 220 万，写入 IOPS 最高可达 190 万，具体数值取决于容量。写入寿命方面，512 GB 型号为 350 TBW，1 TB 型号为 750 TBW，2 TB 型号为 1500 TBW，4 TB 型号为 3000 TBW。

据韩媒报道，韩美半导体今日宣布已从Mercury公司手中收购位于仁川全安国家工业园区内占地6230坪的厂房，并将在此建设其第八家工厂。据悉，第八工厂将成为公司规模最大的工厂，总投资额为1300亿韩元，其中包括560亿韩元的购置费用。该工厂计划生产下一代半导体设备，包括用于HBM的TC键合机和混合键合机、用于AI半导体的2.5D封装设备以及用于高性能存储器生产的BOC和COB设备。改造和先进生产基础设施建设完成后，预计将于2027年第二季度开始量产。

Arm Holdings plc CFO杰森 · 柴尔德透露，公司正积极寻求收购机会，同时推进战略转型，从授权芯片设计转向自主制造并销售成品处理器。Arm继续通过收购 DreamBig 等小型企业来扩大能力，未来也不会排除大型并购交易的可能。

联想集团执行副总裁兼中国区总裁刘军表示，当前行业竞争逻辑已从“峰值算力”转向“Token生产效率”，算力仍处于紧缺阶段。他认为，随着大模型和智能体应用持续发展，训练与推理需求加速增长，全球AI基础设施投入仍具持续性。国家发改委公布的“十五五”期间4万亿算力网络投资规划数据也表明，算力行业的核心矛盾并非“过剩”，而是“结构升级”的紧迫性。