七彩虹宣布推出全新 PRIME 系列存储产品,该系列专为 B 端行业客户打造,涵盖固态硬盘及内存模组,主打 1:1 专属客户服务与 BOM 长期供应承诺,确保产品规格与供货周期稳定,降低客户因存储资源紧缺带来的供应链风险。PRIME 系列产品将面向国内及海外 B 端客户同步供应,明确不涉及消费类零售渠道。
CFM闪存市场近日发布2026年第三季度存储市场展望报告。报告指出,预计2026年三季度,服务器DDR5、eSSD价格环比涨幅将分别落在10%~20%、25%~30%区间;Mobile LPDDR4X/5X、eMMC/UFS价格涨幅分别约5%~15%、15%-25%;PC DDR5/LPDDR5X涨幅预计约13%-18%,cSSD涨幅约15%~25%。
CFM闪存市场2026年价格环比幅度预测:
来源:CFM闪存市场。注:最终实际情况可能存在调整,因各供应商拟定基准价不同,最终幅度会有差异。
据外媒报道,Rubin Ultra GPU原版的四Die方案已被取消,原因是台积电目前尚无法解决制造工艺的限制。最终将于2027年出货的Rubin Ultra GPU的计算能力和内存带宽都将约为原先公布方案的一半。据悉,NVIDIA 预计将采用“2+2”板级配置,在Kyber机架系统的单个刀片上集成两块双die的 Rubin Ultra GPU。这种方法在机架级而非单个封装内实现四die,显著降低了制造难度,提高了良率,并降低了单位成本。
据媒体报道,三星电子首席技术官兼半导体研究所所长Song Jae Hyuk在DS部门内部经营说明会上表示,HBM4E的可靠性测试良率已提升至70%以上。下一代DRAM工艺开发方面,Song Jae Hyuk表示D1d工艺的技术竞争力已领先于竞争对手,并以今年11月取得生产准备认证(PRA)为开发目标。
兆易创新推出全新GD24CL系列I²C通信接口的EEPROM,首发容量为256Kb。该产品能够切实满足工业、电表、能源、数字基础设施等领域对关键配置信息长期、稳定保存的严苛需求。
据韩媒THE ELEC援引业内人士消息报道,SK海力士正与设备供应商洽谈清州P&T7工厂的半导体测试设备供应事宜。目前,设备供应商正在协调明年的预计交付量。据估计,该工厂将需要约200台测试设备,其中包括HBM4测试仪。按每台设备15亿至20亿韩元的单价计算,设备总价值可能高达4000亿韩元(折合人民币约17.44亿元)。业内人士表示,SK海力士最初计划今年订购约200台测试设备,但后来减少了订单量,并将部分订单推迟到下半年,推迟的需求可能会集中在明年的P&T7项目中。
小米汽车公布数据显示,6月交付量持续超过30000台。至此,小米汽车已连续三个月(4月、5月、6月)单月交付量稳稳站上3万台台阶。
亚马逊旗下云端业务AWS宣布,将投入10亿美元成立新部门,专门提供forward-deployed engineers服务,即派遣工程师小组进驻客户公司,协助企业更快采用人工智能软件。新部门由亚马逊AWS前沿AI工程与服务副总裁Francessca Vasquez领导,初期计划配置数千名工程师,每次派驻约45日,旨在将AI部署周期从数月压缩至数日。
存储芯片概念快速拉升,截至发稿,江波龙涨超6%,德明利、佰维存储涨超3%,大普微涨超2%,联芸科技涨近2%。
当地时间6月30日,美股三大股指全线收涨。截至收盘,道琼斯工业指数涨幅0.26%,报52319.20点;标普500指数涨幅0.79%,报7499.36点;纳斯达克综合指数涨幅1.52%,报26213.72点。其中,大型科技股涨跌互现,AMD涨超7%,英伟达、苹果涨超2%,微软、谷歌A涨超1%,谷歌C涨0.58%,高通跌超2%,亚马逊跌0.75%;存储板块涨跌不一,闪迪涨超10%,美光涨0.79%,西部数据跌超2%,希捷跌0.36%。
据外媒报道,三星晶圆代工在2025年初短暂暂停1.4nm半导体制造技术的商业化后,已恢复该技术的商业化。鉴于其2nm芯片制造工艺(SF2和SF2P)目前进展顺利,公司正推进1.4nm工艺的先进开发。据悉,三星已对相关进度进行了一些调整,新的时间表已从2027年推迟到2029年。三星晶圆代工已邀请应用材料和Lam Research等合作伙伴启动定制芯片制造设备的先进研发工作,相关设备将交付至三星NRD-K园区。
据外媒援引知情人士消息,受成本上涨、芯片等零部件严重短缺的持续重压,小米、OPPO、vivo 等国内主流手机厂商已告知供应链厂商,将再度下调本年度出货目标,其中小米将下调30%至约9500万部。
江波龙宣布已建设完成mSSD月产能百万级交付能力,具备稳定且规模化量产交付条件,可充分匹配市场增量需求,后续产能仍具备持续扩容、翻倍释放的空间。
三星电子发布名为 “包括沿垂直方向堆叠的多个半导体芯片的半导体封装”的HBM封装新专利,旨在解决高带宽内存(HBM)封装的可靠性问题。据其28日提交的申请显示,三星电子采用“深槽切割”工艺,将堆叠在HBM顶部的虚拟芯片的侧面加工成三级阶梯状曲面结构,这种方法可以有效改善高堆叠HBM中常见的芯片分层、开裂和翘曲等问题。另外,热管理方面,该专利将粘合绝缘层底面与水平延伸面之间的垂直距离精确设计在1-10微米之间,使传热效率保持在现有水平;还包含一种改进的凸起表面结构,可最大限度地减少成型层的体积,从而有可能改善传热路径。
据外媒报道,为突破现有 CXL 套件限制,实现单服务器多类型内存混合使用,Meta开发了一项名为“Vistara”的内存复用技术,可将旧服务器拆下的DDR4内存重新接入新服务器,并借助自研CXL(Compute Express Link)技术在不同应用之间共享内存,同时尽量降低跨应用共享带来的额外时延。据悉,Vistara ASIC 的核心设计是通过符合 CXL 2.0/1.1 标准的 PCIe Gen5 x16 接口将 DDR4 内存连接到主机处理器,Meta已将这种CXL技术应用于拥有数百万台服务器的超大规模基础设施。
据业界消息,聚辰股份已向其经销商下发通知,全系列NOR Flash产品价格将于2026年7月6日起适度上调,调整幅度为在现有价格基础上调25%。聚辰股份表示,所有新签订单及未交付订单的未执行部分均按新价格执行。
英伟达机器人团队围绕具身智能、仿真、部署及解决方案架构四大核心方向开放招聘,北京、上海、深圳三地均设有岗位。英伟达表示,团队意在推动机器人从实验室走向产业落地,加速智能自动化在各行业的应用,致力于实现具身智能机器人落地真实世界。
AMD正式推出Versal™ Premium Gen 2 内存封装(MoP)自适应SoC。该架构将高达32GB的LPDDR5X内存直接集成于单一封装内,可提供最高288GB/s的带宽,同时节省高达60%的电路板面积。这一设计让工程师无需承担板级内存设计的风险与耗时,即可轻松构建高带宽系统。
6月30日早间,截至发稿,德明利、大普微跌超4%,佰维跌超3%,江波龙、兆易跌超2%,联芸逆势走高涨超1%。盘面上,兆易创新昨晚发布股票交易风险提示的公告称,股票价格短期累计涨幅较大,未来可能存在股价快速回落风险。
6月30日早盘,韩国股市短线跳水后回升,韩国KOSPI指数盘中跌幅一度扩大至2%。截至发稿,韩国KOSPI指数回升,跌幅收窄至0.03%;三星涨超1%,SK海力士跌近1%。