消息称三星HBM4E良率突破70%,D1d目标11月通过量产认证

存储器 2026-07-01 15:34

据媒体报道,三星电子首席技术官兼半导体研究所所长Song Jae Hyuk在DS部门内部经营说明会上表示,HBM4E的可靠性测试良率已提升至70%以上。下一代DRAM工艺开发方面,Song Jae Hyuk表示D1d工艺的技术竞争力已领先于竞争对手,并以今年11月取得生产准备认证(PRA)为开发目标。

简讯快报

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