三星电子发布HBM封装新专利

存储器 2026-06-30 14:32

三星电子发布名为 “包括沿垂直方向堆叠的多个半导体芯片的半导体封装”的HBM封装新专利,旨在解决高带宽内存(HBM)封装的可靠性问题。据其28日提交的申请显示,三星电子采用“深槽切割”工艺,将堆叠在HBM顶部的虚拟芯片的侧面加工成三级阶梯状曲面结构,这种方法可以有效改善高堆叠HBM中常见的芯片分层、开裂和翘曲等问题。另外,热管理方面,该专利将粘合绝缘层底面与水平延伸面之间的垂直距离精确设计在1-10微米之间,使传热效率保持在现有水平;还包含一种改进的凸起表面结构,可最大限度地减少成型层的体积,从而有可能改善传热路径。

简讯快报

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