消息称三星已实现900层级别的V-NAND原型

存储器 2026-05-25 17:19

据韩媒报道,三星电子近期成功利用“单元多重键合(CMB)”技术,将两张450层的单元晶圆(Cell Wafer)完美接合,实现了900层级别的V-NAND集成系统。三星在公布这项研究成果时称,已经验证了正常的单元操作特性。得益于新引入的位线(BL)和字线(WL)结构设计,三星在实现超高层数堆叠的同时,还成功降低了芯片的功耗与整体尺寸。

简讯快报

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