消息称三星电子1c DRAM良率超80%但HBM4良率仍低于60%

存储器 2026-04-15 14:32

据韩媒报道,三星电子的1c DRAM良率已超过80%,达到所谓的"成熟良率”。然而,三星HBM4 DRAM的良率目前仍低于60%,当前的计划是在今年下半年将HBM​​4 DRAM的良率提升至接近完工的水平,旨在提高对包括英伟达在内的主要人工智能客户的需求响应速度。

简讯快报

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