苹果于官网宣布，2026年计划采购超过1亿颗台积电在亚利桑那州工厂生产的先进芯片，较2025年大幅增长。
SK海力士近日在高盛电话会上释放强烈信号：存储行业已全面进入卖方市场。公司透露，目前DRAM及NAND库存仅剩约4周，且没有任何客户能完全满足需求，受AI真实需求爆发及洁净室空间受限等供给刚性约束影响，2026年存储芯片价格将持续上涨。为满足AI带动的强劲需求，SK海力士将产能向HBM、DDR5等高附加值产品倾斜，其2026年HBM产能已提前售罄。
AMD近日宣布与Meta签署一项为期五年的人工智能芯片采购协议，总价值600亿至1000亿美元。Meta将采购最高6吉瓦算力的AMD处理器，首批MI450芯片设备将于今年下半年部署。本次交易采用创新股权绑定模式。Meta将获得以极低价格认购最多1.6亿股AMD股票的认股权证，若达成里程碑且股价达标，Meta最终可能持有AMD约10%股份，成为核心股东。
东芯股份于投资者平台回复提问称，目前看到在消费电子终端，随着客户对存储容量的需求逐步升级，部分场景存在使用SLC NAND Flash产品替代NOR Flash的趋势。
据韩媒报道，三星电子位于京畿道平泽市的晶圆代工厂生产线利用率最近已超过 80%，部分工序的利用率甚至达到 90%。提高利用率的主要驱动力是 Exynos 2600。此外，英伟达机器人芯片 Thor 系列和特斯拉AI5 芯片（其设计已接近完成）预计也将由三星的代工部门生产。
当地时间2月24日，美股三大股指集体收涨。截至收盘，道琼斯指数涨0.76%，报49174.5点；标普500指数涨0.77%，报6890.07点；纳斯达克指数涨1.04%，报22863.68点。其中，大型科技股普遍收涨，AMD涨超8%，高通涨超3%，苹果涨超2%，微软、亚马逊涨超1%，英伟达涨0.68%，谷歌A、谷歌C分别微跌0.19%、0.25%；存储概念股普遍收跌，闪迪跌超4%，希捷跌超2%，美光跌0.7%。
近日，韩国科学技术院教授金正浩在简报会上指出，随着AI的不断发展，所需数据量将急剧增加，而现有HBM已难以满足未来需求，行业将不可避免地转向采用HBF技术。他解释称，当前方案主要通过垂直连接GPU并附加HBM进行处理，但未来可通过同时搭载HBM与HBF来突破容量瓶颈。当CPU、GPU与内存整合于单芯片的MCC架构实现后，HBF需求将进一步攀升，预计从2038年起，HBF的需求将超过HBM。
2月24日，全球存储板块掀起普涨行情，AI算力需求爆发、HBM供不应求及行业库存告急成为核心驱动。A股方面，存储芯片概念强势上攻，澜起科技大涨6.08%，佰维存储涨4.88%，深科技涨4.58%，板块热度显著升温。与此同时，韩国KOSPI指数再创历史新高，收盘上涨2.11%，SK海力士涨5.7%，三星电子涨近3.63%，市场消息称新一代HBM4量产定价超出预期，进一步提振情绪。台股方面，台积电、南亚科同步上行；美股前一日（23日）三大指数集体收跌，存储龙头美光科技亦下跌1.68%。在卖方市场格局下，存储价格上行趋势明确，板块高景气延续。
三星昨日官宣其Galaxy Book6系列将于3月11日在美国发售，包括Galaxy Book6 Ultra、Galaxy Book6 Pro和Galaxy Book 6。Galaxy Book6系列搭载Intel Core Ultra Series 3处理器——首款基于英特尔18A 架构的客户端SoC，确保了高效高速的CPU、GPU和NPU性能 ，从而实现快速处理、流畅的多任务处理和更灵敏的AI响应。其中，16英寸的Galaxy Book 6 Pro首次采用了均热板散热技术，Galaxy Book6 Ultra和Pro配备了三星迄今为止续航时间最长的电池，视频播放时间长达30小时。
南茂董事长郑世杰表示，今年营运动能稳健，较2025年乐观，预期下半年营运优于上半年，第1季南茂将再次调涨存储产品封测报价，今年存储封测动能看佳。
宏碁董事长兼CEO陈俊圣昨日在采访中指出，内存缺货态势至少延续至2026年年中，下半年的供需行情将由几大内存原厂扩产后的产能释出状况决定。陈俊圣表示，存储器价格占PC物料成本约25%，近期涨幅达50%-100%，预计将推高终端售价。尽管PC出货量预计下滑，但均价上涨带动整体销售额上升。对于AI PC，他预计今年的内置NPU渗透率将从2025年的30%+提高至50%+。
据业界消息，英伟达 N1X 消费级芯片预计将在今年第二季度登场，联想、戴尔等品牌有望首发。N1X 芯片采用 Arm 架构，基于 DGX Spark 迷你主机的 GB10 Grace Blackwell 修改。
2月24日，铠侠于官网宣布为下一代移动应用提供UFS 5.0嵌入式闪存样品。UFS 5.0采用MIPI M-PHY 6.0物理层与UniPro 3.0协议层，支持高达46.6Gbps的单通道接口速度，双通道模式可实现约10.8 GB/s的有效读写性能。评估样品基于公司为UFS 5.0自主研发的主控和铠侠第八代BiCS FLASH™闪存，容量可选512GB和1TB，封装为7.5x13毫米尺寸的全新设计，有助于提高电路板空间利用率和设计灵活性。
2月24日，荣耀在深圳领先边端智能开放研究院揭牌仪式上首次展示了具身智能加持的AI新形态终端——荣耀Robot Phone真机，并与生态伙伴机器人进行了现场互动演示。据悉，荣耀将在2026年世界移动通信大会（MWC）上展示荣耀Robot Phone更多技术细节与应用场景，并推出其首款人形机器人，成为全球率先入局人形机器人的手机公司。
北京大学团队近日成功将铁电晶体管物理栅长缩减至1纳米，研制出全球尺寸最小、功耗最低的铁电晶体管。该器件兼具非易失性存储与逻辑运算能力，天然适配存算一体架构，可在0.6V超低电压下工作，能耗水平领先国际业界一个数量级。相关成果已在线发表于国际顶级期刊《科学·进展》。
2月24日上午，华为董事长梁华在2026广东省高质量发展大会上发表讲话时透露，2025年华为公司销售收入超过8800亿元人民币，超过了2024年的8498.35亿元，增长300多亿。
据韩媒报道，业内人士透露，三星电子内部已实现1c DRAM 80%的良率，这是在高温环境下（热测试）取得的最高良率，并进一步表示，基于1c DRAM的HBM4的良率也有所提高，已接近60%，去年第四季度约为50%。
欧盟中国商会宣布，经董事会一致批准通过，理想汽车以正式会员身份加入欧盟中国商会，并成为商会汽车工作成员。据悉，理想汽车已于2025年1月在德国成立研发中心，在慕尼黑拥有一支专业造型设计、功率半导体、底盘系统、电力驱动、法规认证团队。
ASML近日宣布，位于韩国华城园区的“韩国全球培训中心”正式落成启用。该中心占地3100平方米，整合了原有的华城与龙仁两个培训设施，配备DUV/EUV设备、模块及洁净室，可提供130余个培训项目。中心拥有20间教室和25名专业讲师，预计每年培训约4000名工程师。未来还将新增High-NA EUV设备课程，以系统化培养尖端半导体人才。
据韩国海关总署数据显示，2月1日至20日期间，韩国出口总额达435亿美元，比上年同期增长23.5%。其中，半导体出口额飙升134.1%，达151.2亿美元，占出口总额的34.7%，比上年同期增长16.4个百分点。
消息称三星电子1c DRAM良率超80%，HBM4良率接近60%
