消息称SK海力士正开发新技术AIP以降低NAND制造成本

存储器 网络 M 2026-02-11 16:58

据韩媒报道,SK海力士正在开发名为“AIP(All-In-Plug)”的创新技术,以缓解因堆叠层数增加而带来的成本增长。

据悉,为实现高堆叠NAND而增加的HARC蚀刻工艺数量是导致制造成本上升的最大因素。传统制造方法需要分别对多个NAND层进行蚀刻,通过键合工艺连接起来。SK海力士最新一代321层NAND闪存也采用了“三层堆叠”工艺,该工艺包含三个蚀刻步骤。由于需要执行三次蚀刻过程,这种方法虽有利于NAND制造的稳定性,但成本和生产效率不高。

然而,SK海力士此次开发研究的AIP技术可在单次工艺中对超过300层的高密度NAND闪存进行HARC蚀刻,旨在通过一次性蚀刻全部NAND层来显著降低制造成本。如果这项技术应用于实际量产,预计从下一代NAND闪存(例如V11)开始,HARC工艺的数量和成本将显著降低。

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