在华为全联接大会2025 上，华为轮值董事长徐直军公布昇腾950、960、970等芯片信息，并表示，昇腾芯片将不断演进，更多芯片还在规划。

与目前使用凸块垂直堆叠HBM DRAM的热压键合 (TC) 设备不同，该混合键合机可以直接将芯片键合在一起，可减少HBM 厚度并减少信号损耗。预计该设备将于 2027年投入生产20层第六代 HBM (HBM4)。

作为HBM4的关键组件，三星选择采用自家4nm制程生产，SK海力士则交由台积电12nm制程代工。美光未委托专业晶圆代工厂，而是自行以DRAM制程制作逻辑芯片，导致在满足英伟达最新效能要求上显得有些吃力。分析称，美光部分逻辑芯片可能需要重新设计。

平头哥PPU配备96GB HBM2e显存，片间带宽700GB/s，支持 PCIe 5.0，功耗为400W，多项配置规格超过英伟达A800、接近H20。

数据将成为推动AI发展的“新燃料”，AI存储容量需求预计将比2025年增长500倍，占比超70%，Agentic AI 驱动存储范式变革。通讯网络连接对象将从目前的90 亿人扩展至9000亿智能体，实现从移动互联网到智慧互联网的跨越。

普冉股份9月16日披露，拟以现金方式收购参股公司珠海诺亚长天存储技术有限公司（简称“诺亚长天”）控股权，将实现对诺亚长天的控股，并间接控股其全资子公司SkyHigh Memory Limited（SHM），本次交易完成后，标的公司及SHM将被纳入公司合并报表范围。

英伟达已开始与三星电子、SK 海力士和美光合作对 SOCAMM 2进行样品测试。

存储器价格上涨以及AI服务器等基础设施投资的增加，推动了半导体市场的发展。

与台积电第二代N2P制程相比，A16在相同电压下频率提升8%~10%，在相同性能下功耗降低15%~20%，同时芯片密度还可增加10%，实现了性能、功耗和面积（PPA）的全面进步，尤其适用于高性能计算（HPC）芯片。

该设备解决了先进封装生产中遇到的关键技术挑战，旨在精确可靠地处理重型和弯曲的晶圆。厚度高达60微米甚至100微米的的特殊介电薄膜可以纳米级精度沉积在芯片之间。这些薄膜可提供结构、热和机械支撑，防止分层等常见封装缺陷。

新型AI SSD专为AI服务器设计，可部分替代作为GPU显存扩展的HBM，其随机读取性能预计将提升至约1亿 IOPS，可加速GPU的数据处理速度，相比传统SSD的读取速度提升100倍。