明年服务器需求将持续向上成长，加上AI PC 渗透率提升及换机潮递延到2025年，华泰EMS业务有望持续成长，半导体封测业务也有望回温，预期明年营运有机会重返成长轨道。
进入该厂商主页
在英特尔推迟了美国俄亥俄州工厂的部分投资计划后，美国政府正试图将补贴金额降至80亿美元以下。
黄仁勋表示，英伟达正在考虑接收三星电子交付的 8 层和 12 层 HBM3E。
随着HBM3E全面供应 NVIDIA，SK海力士在美国的销售额在第三季度达到了历史新高，预计明年全年将继续保持强劲势头。报告显示，美国占SK海力士第三季度销售额的64%，比上一季度增长5个百分点，同比增长17个百分点，创下历史新高。
据日媒最新消息，铠侠预计将在11月22日获得东京证券交易所(以下简称东证)的上市许可，顺利的话将在12月中旬挂牌上市，市值预估为7,500亿日圆（约合48.6亿美元），远低于此前设定的1.5兆日圆以上的目标。
SEMI表示，第三季度消费、汽车和工业领域复苏速度较慢，但AI数据中心投资需求强劲，是驱动第3季IC销售额成长主要动能。预计今年全年IC销售额可望成长超过20%，主要是数据中心存储强劲需求带动存储芯片价格改善所驱动。
德明利UFS提供128GB、256GB、512GB多种容量选择，产品厚度设计最大可压缩至1.0mm，提升了与移动设备内部空间的兼容性，广泛适用于高端旗舰智能手机、平板电脑、智能汽车、智能穿戴等场景，有效应对5G时代日益增长的数据处理需求，为用户提供更为智能、高效的移动体验。
进入该厂商主页
英伟达在中国的数据中心收入连续增长，但在数据中心总收入中所占的比例仍远低于出口管制开始前的水平，预计未来中国市场的竞争仍将非常激烈。
受行业周期好转的影响，11月前20天韩国半导体出口额同比增长42.5%，达77.1亿美元，占同期全国出口总额的 21.6%，比去年同期上升了5.6 个百分点。
此次321层产品与上一代相比，数据传输速度和读取性能分别提高了12%、13%，并且数据读取能效也提高10%以上。SK海力士将以321层NAND闪存积极应对面向AI的低功耗、高性能新市场，并逐渐扩大其应用范围。
进入该厂商主页
除了特斯拉，三星电子和SK海力士还在为谷歌、Meta和微软等美国大型科技公司开发定制的HBM4芯片，这些公司一直在寻求降低对英伟达AI芯片的依赖。
MRDIMM的另一大亮点在于其卓越的易用性，采用与常规 RDIMM 相同的连接器和外形尺寸，仅需将小型多路复用芯片安装于先前模块上的空闲位置，即可实现升级，无需对主板进行任何改动。
NRD-K 将配备High-NA EUV光刻和新材料沉积设备，旨在加速开发下一代存储器半导体，例如3D DRAM 和具有 1,000 层以上的 V-NAND。此外，还计划对接具有创新晶圆对晶圆键合功能的晶圆键合基础设施。
进入该厂商主页
目前HBM制造商正积极推动在第六代HBM（HBM4）中，引入无助焊剂键合技术。其中，美光动作最为积极，已开始与合作伙伴测试新制程；SK海力士正在评估无助焊剂键合技术；三星电子也正在密切关注相关技术。
三星电子HBM4E研发进度曝光
上游NAND价格持续上涨令存储厂商加大成本管控力度，多数成品端价格向上突破前高
嵌入式LPDDR4X价格全面大幅上涨，存储现货市场整体多以接单谨慎、按单谈价为主
本周行业SSD和渠道SSD、内存条价格上涨，部分行业PC客户正逐渐接受新季度报价