继AMD日前于发布会上宣布其新款AI加速器MI350X和MI355X已搭载三星电子的12层HBM3E后,据韩媒报道,三星电子已完成博通HBM3E 8层认证测试,并正在为量产做准备。

上海超硅拥有设计产能70万片/月的300mm半导体硅片生产线以及设计产能40万片/月的200mm半导体硅片生产线,旗下产品已量产应用于先进制程芯片,包括NAND Flash/DRAM(含HBM)/NOR Flash等存储芯片、逻辑芯片等。

2025年6月16日,江波龙与全球知名的存储解决方案提供商Sandisk(闪迪)在中山存储产业园签署合作备忘录(Binding MOU)。此次合作将深度整合双方优势资源,为客户带来高品质的UFS存储解决方案,助力客户推出市场差异化产品。

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据韩媒thebell报道,SK海力士计划推迟对10nm级第六代DRAM(1c DRAM)的投资,目的是专注于需求可见度高、盈利能力强的高带宽存储器(HBM)的生产。

从HBM5开始,冷却技术将成为关键,通过3D异构集成和先进封装技术,将部分基础芯片(Base Die)移至HBM顶部。

在完成第二座爱达荷州晶圆厂建设后,美光计划将先进的HBM封装能力引入美国。

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据悉三星电子将从第五代HBM"HBM3E"开始应用飞秒激光。但由于设备刚启动导入,实际目标产品更可能是第六代"HBM4"。

英韧科技推出的PCIe 5.0 SSD——洞庭-N3(Dongting-N3)系列,凭借其卓越的性能、超低延迟与高可靠性,全面满足AI大模型在训练过程中的严苛需求,为数据中心提供高效、稳定的存储支持。

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未来,美光将仅向汽车、工业和通信三大应用领域的长期客户供应DDR4/LPDDR4X产品。

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对于未来业绩展望,郭鲁正表示:“今年和明年的业绩很难预测,但目前为止,一切进展都与计划相符,让我们共同努力,实现计划。”

美光曾计划到2030年代中期,通过爱达荷州博伊西和纽约州克莱镇的两大生产基地,将40%的DRAM产能转移至美国本土。但鉴于当前延误,能否如期执行该计划尚不明朗。

在多路监控、多路录像等高并发数据写入的应用场景中,佰维TDC 200系列工业级SD Card 与 microSD Card凭展现出卓越的稳定性与高效性能,确保画面不丢帧、视频不断流,完整记录每一秒关键画面。

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美光 HBM4 采用 2048 位接口,每个内存堆栈的速度超过 2.0 TB/s,性能较上一代提升 60% 以上,将帮助 AI 加速器更快地响应并更有效地进行推理。

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首批SOCAMM模块基于堆叠式 LPDDR5X 芯片,将用于英伟达即将推出的 AI 加速器平台 Rubin,该平台计划于明年发布。

这起诉讼引发的问题极其重要,因此法院有必要采取罕见措施,由11 名法官组成的法庭审理上诉,而不是原本由三名法官组成的合议庭审理。法院预定将于7月31日辩论。

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