台积电表示，目前 2nm技术开发进展良好，采用纳米片晶体管架构，在良率与组件效能上皆展现良好的进展，将如期于 2025 年量产。相较于 N3E，在相同功耗下，速度最快将可增加至 15%；在相同速度下，功耗最多可降低 30%，同时芯片密度增加大于 15%。

进入2023年第二季，由于整体需求前景依旧低迷，预期客户将持续进行库存调整，晶圆出货量将会持平。同时，公司持续采取严格的成本控制措施，以确保在近期景气循环中的获利能力。

本田营运长 Shinji Aoyama 预估，2025 会计年度开始可看到与台积电的合作效益。该公司计划 2026 年在日本推出四款新的电动车。

十铨认为，今年一整年在大环境库存高档、终端消费力薄弱下，内存今年产业辛苦，但在原厂释出减产讯息后，短期先看5-6月可望缓步向上震荡，若可以5-6月市况止稳，下半年就会有机会改善。

NIST 将支持和扩大美国在半导体研究、设计、工程和先进制造领域的领导地位，并增强美国的竞争力。

旺宏第一季产品结构，NOR flash占比重53%、ROM 30%、NAND Flash 11%以及代工占比重6%。

该工厂可以处理涵盖 NAND 闪存和各代 DRAM 的美光产品系列。

宇瞻成功开发出全球首创完全无铅（Fully Lead-Free）内存模块，其所采用的全新完全无铅电阻组件，符合 RoHS环保标准也不再需要豁免条款，也不会影响原有内存模块的效能。

近期，Arm将在纳斯达克市场IPO上市的消息甚嚣尘上，为提升盈利能力，Arm 计划改变授权费模式，并调整其余授权费，计划将授权费依据由依芯片出货价格改成以终端设备出货价一定比例，每支手机收取售价 1%~2% 授权费，提高营收获利。

据台媒报道，日本经济产业省决定对Rapidus计划兴建于北海道的2 nm芯片工厂补贴2,600 亿日圆，且今后若有必要也考虑追加援助，该消息预计将在4月25日正式宣布。