兆易创新预期未来2年左右利基型DRAM市场仍将处于供应相对紧张的环境,价格有望在今年第四季度进一步上行,并在明年维持相对较好的水平。

三星电子将为DGX Spark供应高性能存储解决方案PM9E1 SSD,读写速度最高可达14.5GB/s和13GB/s,最高支持4TB容量,并搭载第八代V-NAND和5nm控制器,显著提升了能效和稳定性,可最大限度地减少DGX Spark等AI超级计算系统中的数据瓶颈,并作为超高速计算处理的基础存储。

正如CFM闪存市场分析,基于服务器应用包括NAND、DRAM在内的产能分配优先,手机嵌入式存储供应较为有限,预计四季度mobile NAND、LPDDR4X/5X等产品全面延续涨价行情。

据CFM闪存市场最新报价,1Tb QLC 涨 8.33% 至 $6.50,1Tb TLC 涨 7.46% 至 $7.20,512Gb TLC 涨 14.29% 至 $4.80。

郭鲁正表示,他认为明年的存储器行业不会糟糕,SK海力士将像今年一样,努力保持对明年的希望。

JESD328 预计将支持完整的 LPDDR5X 数据速率,即在平台信号完整性允许的情况下达到每引脚 9.6 Gb/s,数据传输速度高达9,600 MT/s,高于SOCAMM 1的8,533 MT/s。LPDDR5/5X 内存设备的使用降低了系统能耗和冷却要求,这是高效处理大数据的关键特性。

朱宪国指出,AI带动HBM等高阶存储产品需求强劲,使晶圆厂将产能转向HBM等高阶产品,排挤利基型DRAM产能,带动价格走扬;SLC NAND在韩厂减产下,第三季也有涨价;NOR Flash受惠AIoT应用需求增加,带动需求,价格同步上扬。

目前,江波龙这项创新产品已完成开发、测试,并申请了国内外相关技术专利,处于量产爬坡阶段。

基于这一良率提升,三星电子正在加速1c DRAM的量产。三星电子平泽四号工厂(P4)目前正在安装半导体设备,将专注于生产1c DRAM。该生产线已进入建设的最后阶段。

据CFM闪存市场最新报价,1Tb QLC 涨 9.09% 至 $6.00,1Tb TLC 涨 8.06% 至 $6.70,512Gb TLC 涨 10.53% 至 $4.20,256Gb TLC 涨 6.25% 至 $3.40。

HBM4E拥有2048个引脚用于数据传输,换算成字节即可达到3.25TB/s。此外,三星电子表示,HBM4E的能效将是目前HBM3E的两倍以上。

多因素驱动下,四季度原厂将对Mobile NAND及LPDDR5X等产品进行调涨价格。而存储芯片这一关键硬件涨价带来的成本压力,在近期发布的部分旗舰手机定价上已有所体现。

据韩媒报道,FnGuide预估,SK海力士第三季度营收预期(分析师平均预测)为24.48万亿韩元,营业利润预计为11.15万亿韩元,分别比去年同期增长了39.3%和58.6%,将创下其有史以来最高的季度业绩。

自9月中旬起,Flash Wafer普遍全面迎来上涨行情,节后涨价气氛依然浓烈。

根据协议,三星和SK海力士为OpenAI提供人工智能加速器中使用的大部分HBM,其需求量相当于每月90万片晶圆。

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