SK海力士通过使用尖锐工具刺穿 HBM 安装的 DRAM 顶部以产生划痕来进行测试，结果发现其芯片的划痕比使用 TC-NCF 生产的芯片少。这一结果表明，HBM 可以承受外部物理冲击，而不会影响涉及 HBM 和计算单元组合的异构集成封装过程中的产量。

双方预测，如果FDP技术得到广泛应用，将有助于降低总投资成本（TCO）并建立存储效率的新标准。

十铨认为，DRAM 及NAND Flash价格今年没有反转下跌的可能，至年底合约价应可维持双位数百分比的涨幅，后市也随生成式AI与边缘运算技术发展持续扩张，相信可望迎来存储市场旺季。

适逢端午节假期，按国家规定放假3天，即6月8-10日放假，6月10日所有产品均暂停报价，6月11日（星期二）恢复报价。

据韩媒报道，韩国政府已开始审查针对高带宽存储器 (HBM) 芯片制造所必需的材料、零部件和设备的政策支持，包括税收优惠。

SK海力士未来战略副总裁柳秉勋表示，“考虑到AI数据中心的建设速度，我们需要谨慎增加投资。”此前，存储厂商过度扩张产能，导致去年半导体市场低迷期间盈利能力大幅下降。SK海力士将保持保守的投资方式，以确保盈利能力。

此前有消息称，三星HBM因发热及功耗问题，未通过英伟达品质测试。对此，黄仁勋表示此传言并非事实，否认三星HBM品质测试不合格的传闻。

低温蚀刻可以让存储器的存储单元从上层到下层之间贯穿的许多存储通孔（memoryhole），以更快的时间形成，因此能提高单位时间的生产量。

英伟达正式宣布在其下一代产品中搭载HBM4， AI芯片发布周期也有望从现有的两年加速到一年，将引发HBM开发速度的竞争。

消息还称，今年年底美光HBM产能为2万片12英寸晶圆。虽然仅为SK海力士和三星电子产能的20%左右，但预计明年将增加三到四倍。

与 NAND 一样，MARM 即使在电源关闭时也能保留数据，并且具有比 NAND 写入数据快约 1,000 倍且功耗更低的优点。未来汽车行业的需求预计将增加。

韩国国内半导体材料公司ENF Technology利用自有技术开发出钛蚀刻剂（Ti etchant），并已开始向全球最大的HBM制造商供应。

与第一代相比，第二代NORD平台采用更先进的制造工艺，芯片尺寸可减少约1/3，为应用设备的迷你化和便携化提供极大限度的紧凑型设计自由。

全新 Trident Z5 Royal 系列 DDR5 内存套件支持最新的英特尔 XMP 3.0 内存超频配置文件，可通过主板 BIOS 轻松实现内存超频，将于 2024 年 5 月下旬推出。

SK 海力士于 3 月开始供应 8 层 HBM3E 产品，并计划于今年第三季度供应 12 层 HBM3E 产品。12 层 HBM4（第六代）计划于明年下半年推出，16 层版本预计将于 2026 年投入生产。