编辑:Andy 发布:2024-10-25 16:19
针对关于“AI泡沫理论”“HBM供给过剩的可能性”等言论,SK海力士DRAM营销副总裁Kim Gyu-hyeon在第三季度业绩说明会上表示,“随着AI芯片的需求不断增加,以及客户扩大AI投资的意愿得到证实,明年HBM的需求增长将超过目前的预期。”
Kim Gyu-hyeon透露,“明年各 HBM 客户的数量和价格谈判已基本完成,需求强于供应的情况将持续下去。”
他还强调,半导体行业现在的任务是及时供应HBM,而不是担心减少AI投资。这是因为开发下一代HBM的技术难度不断增加,并且由于产量下降和客户认证等因素,供应可能会中断。与DRAM供应不同,为保证及时获得HBM,HBM客户通常是签署长期供应合同。
SK海力士表示正在投入资源以确保HBM的顺利供应。 SK海力士计划通过将 HBM3 和 DDR4 DRAM 等现有一代(传统)工艺转换为先进工艺来应对HBM3E快速增长的需求。该战略是将投资重点放在高附加值产品上,同时逐步减少需求下降的老一代产品的比例。为了扩大HBM产能,SK海力士还确保核心工艺硅通电极(TSV)的产能比去年增加了一倍以上。
第三季度,SK海力士HBM销售额环比增长超70%,已占DRAM总销售额的30%,预计第四季度这一比重将达40%。该季度HBM3E出货量已超过HBM3,第四季度12层HBM3E已按计划开始出货,预计明年第一季度12层HBM3E将占HBM3E总出货量的一半以上。
存储原厂 |
三星电子 | 59100 | KRW | -0.84% |
SK海力士 | 195000 | KRW | +2.47% |
美光科技 | 104.080 | USD | -3.79% |
英特尔 | 22.300 | USD | -2.62% |
西部数据 | 67.020 | USD | -1.87% |
南亚科 | 42.30 | TWD | 0.00% |
华邦电子 | 19.25 | TWD | +0.26% |
主控厂商 |
群联电子 | 471.5 | TWD | +0.75% |
慧荣科技 | 56.010 | USD | -3.15% |
美满科技 | 82.800 | USD | -2.44% |
点序 | 57.1 | TWD | -0.87% |
国科微 | 69.82 | CNY | -0.61% |
品牌/模组 |
江波龙 | 87.73 | CNY | -1.49% |
希捷科技 | 99.790 | USD | -1.52% |
宜鼎国际 | 258.5 | TWD | +0.39% |
创见资讯 | 96.4 | TWD | +1.47% |
威刚科技 | 85.7 | TWD | +1.42% |
世迈科技 | 15.620 | USD | -1.88% |
朗科科技 | 23.05 | CNY | -0.77% |
佰维存储 | 62.92 | CNY | -0.91% |
德明利 | 84.14 | CNY | -1.71% |
大为股份 | 12.14 | CNY | -0.08% |
封测厂商 |
华泰电子 | 39.00 | TWD | -4.29% |
力成 | 126.5 | TWD | +0.40% |
长电科技 | 38.26 | CNY | -0.93% |
日月光 | 157.0 | TWD | -0.95% |
通富微电 | 24.56 | CNY | +5.18% |
华天科技 | 12.81 | CNY | -0.77% |
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱:Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场(ChinaFlashMarket) 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2