编辑:Andy 发布:2024-10-24 15:16
据业界消息,三星电子正在加快产品开发,目标在明年6月之前完成12层HBM4量产的准备工作。业界分析,三星此举是为了在SK海力士之前量产HBM4,以此夺回在HBM3 和 HBM3E方面失去的市场份额。
HBM4流片工作预计将于今年第四季度开始,预计HBM4测试产品将于明年初左右发布,验证产品的运行后,预计将进行设计和工艺改进。
三星计划采用1c DRAM作为HBM4核心芯片,并通过代工4nm工艺量产逻辑芯片。因此三星电子必须提高1c DRAM的量产良率,才能满足HBM4内部量产进度。日前曾有消息称,三星电子在 1c DRAM 开发过程中首次获得了“好芯片”,好的芯片是指运行正常的半导体芯片。据说三星电子内部给出了“希望出现了”的积极评价。
SK海力士计划在明年下半年量产12层HBM4,核心芯片采用1b DRAM,同时采用台积电5nm工艺和12nm工艺将量产逻辑芯片。
12层HBM4将被用于NVIDIA和AMD的下一代AI加速器。 NVIDIA和AMD将在2026年推出配备12层HBM4的AI加速器Rubin和MI400。
存储原厂 |
三星电子 | 59100 | KRW | -0.84% |
SK海力士 | 195000 | KRW | +2.47% |
美光科技 | 104.080 | USD | -3.79% |
英特尔 | 22.300 | USD | -2.62% |
西部数据 | 67.020 | USD | -1.87% |
南亚科 | 42.30 | TWD | 0.00% |
华邦电子 | 19.25 | TWD | +0.26% |
主控厂商 |
群联电子 | 471.5 | TWD | +0.75% |
慧荣科技 | 56.010 | USD | -3.15% |
美满科技 | 82.800 | USD | -2.44% |
点序 | 57.1 | TWD | -0.87% |
国科微 | 69.82 | CNY | -0.61% |
品牌/模组 |
江波龙 | 87.73 | CNY | -1.49% |
希捷科技 | 99.790 | USD | -1.52% |
宜鼎国际 | 258.5 | TWD | +0.39% |
创见资讯 | 96.4 | TWD | +1.47% |
威刚科技 | 85.7 | TWD | +1.42% |
世迈科技 | 15.620 | USD | -1.88% |
朗科科技 | 23.05 | CNY | -0.77% |
佰维存储 | 62.92 | CNY | -0.91% |
德明利 | 84.14 | CNY | -1.71% |
大为股份 | 12.14 | CNY | -0.08% |
封测厂商 |
华泰电子 | 39.00 | TWD | -4.29% |
力成 | 126.5 | TWD | +0.40% |
长电科技 | 38.26 | CNY | -0.93% |
日月光 | 157.0 | TWD | -0.95% |
通富微电 | 24.56 | CNY | +5.18% |
华天科技 | 12.81 | CNY | -0.77% |
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