编辑:Andy 发布:2024-10-24 15:16
据业界消息,三星电子正在加快产品开发,目标在明年6月之前完成12层HBM4量产的准备工作。业界分析,三星此举是为了在SK海力士之前量产HBM4,以此夺回在HBM3 和 HBM3E方面失去的市场份额。
HBM4流片工作预计将于今年第四季度开始,预计HBM4测试产品将于明年初左右发布,验证产品的运行后,预计将进行设计和工艺改进。
三星计划采用1c DRAM作为HBM4核心芯片,并通过代工4nm工艺量产逻辑芯片。因此三星电子必须提高1c DRAM的量产良率,才能满足HBM4内部量产进度。日前曾有消息称,三星电子在 1c DRAM 开发过程中首次获得了“好芯片”,好的芯片是指运行正常的半导体芯片。据说三星电子内部给出了“希望出现了”的积极评价。
SK海力士计划在明年下半年量产12层HBM4,核心芯片采用1b DRAM,同时采用台积电5nm工艺和12nm工艺将量产逻辑芯片。
12层HBM4将被用于NVIDIA和AMD的下一代AI加速器。 NVIDIA和AMD将在2026年推出配备12层HBM4的AI加速器Rubin和MI400。
存储原厂 |
三星电子 | 58800 | KRW | +1.73% |
SK海力士 | 197000 | KRW | +3.30% |
铠侠 | 2255 | JPY | -5.57% |
美光科技 | 88.850 | USD | +2.26% |
西部数据 | 40.840 | USD | +1.01% |
闪迪 | 48.200 | USD | +1.24% |
南亚科 | 38.30 | TWD | +2.41% |
华邦电子 | 18.10 | TWD | +3.13% |
主控厂商 |
群联电子 | 532 | TWD | +1.14% |
慧荣科技 | 51.090 | USD | +1.05% |
联芸科技 | 46.81 | CNY | +0.04% |
点序 | 62.1 | TWD | +2.64% |
国科微 | 68.58 | CNY | -0.42% |
品牌/模组 |
江波龙 | 91.99 | CNY | -0.62% |
希捷科技 | 84.685 | USD | -0.31% |
宜鼎国际 | 257.5 | TWD | +2.79% |
创见资讯 | 104.0 | TWD | +3.48% |
威刚科技 | 88.6 | TWD | +4.11% |
世迈科技 | 17.255 | USD | -0.66% |
朗科科技 | 25.69 | CNY | -4.14% |
佰维存储 | 69.83 | CNY | -2.35% |
德明利 | 126.66 | CNY | -2.69% |
大为股份 | 14.86 | CNY | +0.54% |
封测厂商 |
华泰电子 | 32.90 | TWD | +4.28% |
力成 | 126.0 | TWD | +3.28% |
长电科技 | 35.00 | CNY | -0.03% |
日月光 | 149.5 | TWD | +4.55% |
通富微电 | 26.83 | CNY | +0.22% |
华天科技 | 10.61 | CNY | +0.09% |
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