编辑:Andy 发布:2024-10-24 15:16
据业界消息,三星电子正在加快产品开发,目标在明年6月之前完成12层HBM4量产的准备工作。业界分析,三星此举是为了在SK海力士之前量产HBM4,以此夺回在HBM3 和 HBM3E方面失去的市场份额。
HBM4流片工作预计将于今年第四季度开始,预计HBM4测试产品将于明年初左右发布,验证产品的运行后,预计将进行设计和工艺改进。
三星计划采用1c DRAM作为HBM4核心芯片,并通过代工4nm工艺量产逻辑芯片。因此三星电子必须提高1c DRAM的量产良率,才能满足HBM4内部量产进度。日前曾有消息称,三星电子在 1c DRAM 开发过程中首次获得了“好芯片”,好的芯片是指运行正常的半导体芯片。据说三星电子内部给出了“希望出现了”的积极评价。
SK海力士计划在明年下半年量产12层HBM4,核心芯片采用1b DRAM,同时采用台积电5nm工艺和12nm工艺将量产逻辑芯片。
12层HBM4将被用于NVIDIA和AMD的下一代AI加速器。 NVIDIA和AMD将在2026年推出配备12层HBM4的AI加速器Rubin和MI400。
存储原厂 |
三星电子 | 56000 | KRW | +0.54% |
SK海力士 | 183000 | KRW | +2.64% |
铠侠 | 1871 | JPY | +3.20% |
美光科技 | 77.420 | USD | +6.16% |
西部数据 | 40.170 | USD | +6.55% |
闪迪 | 32.290 | USD | +6.36% |
南亚科 | 37.55 | TWD | +0.40% |
华邦电子 | 15.60 | TWD | +1.30% |
主控厂商 |
群联电子 | 457.5 | TWD | +5.05% |
慧荣科技 | 44.060 | USD | +5.53% |
联芸科技 | 40.23 | CNY | -0.79% |
点序 | 52.3 | TWD | +2.95% |
国科微 | 66.38 | CNY | -0.24% |
品牌/模组 |
江波龙 | 76.98 | CNY | 0.00% |
希捷科技 | 83.040 | USD | +6.34% |
宜鼎国际 | 239.5 | TWD | +2.13% |
创见资讯 | 106.0 | TWD | +1.44% |
威刚科技 | 82.9 | TWD | +2.60% |
世迈科技 | 17.000 | USD | +4.10% |
朗科科技 | 23.57 | CNY | -0.17% |
佰维存储 | 60.36 | CNY | -0.13% |
德明利 | 127.29 | CNY | -0.08% |
大为股份 | 13.78 | CNY | -0.22% |
封测厂商 |
华泰电子 | 31.65 | TWD | +1.44% |
力成 | 113.0 | TWD | -0.88% |
长电科技 | 32.85 | CNY | +0.12% |
日月光 | 138.0 | TWD | +4.15% |
通富微电 | 25.24 | CNY | +0.16% |
华天科技 | 9.76 | CNY | -0.10% |
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