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消息称三星电子HBM3E商业化迟缓或与DRAM制程有关,或考虑重新设计1a DRAM电路

编辑:Andy 发布:2024-10-16 14:25

据业界消息,三星电子的HBM商业化迟缓或与HBM核心芯片DRAM有关,1a DRAM的性能阻碍了三星电子向英伟达提供HBM3E量产供应。HBM3E的质量问题在最近一次检查中得到解决,这是一个积极的迹象,但由于全面量产供货的最终质量测试不断推迟,实际影响仍然存在。

英伟达上月底对三星电子平泽园区8层 HBM3E产线进行了尽职调查,此前出现的HBM质量问题在这次检查中得到了解决。尽职调查是客户参观制造商的工厂,检查量产线和产品的行为,被视为在通过质量测试之前必须完成的惯例程序。预计通过此次检查,三星电子将能够顺利完成8层HBM3E的内部量产准备工作,但三星HBM3E是否会立即批量供应英伟达高性能AI加速器H200和B100还有待观察。业内消息称,该计划更有可能率先应用于非顶尖性能的AI芯片产品上,诸如三星向英伟达的H20供应HBM3。

三星电子原计划从今年第三季度开始向英伟达供应HBM3E。但截至目前,HBM3E 8层和12层产品通过英伟达质量测试的时间晚于预期,有消息称,12层产品极有可能推迟到明年第二或第三季度。在质量测试中,不仅要验证HBM本身,还必须额外验证与系统半导体结合的封装阶段的良率和性能。

三星电子HBM商业化迟缓有复杂的原因。但有分析认为,HBM的问题从根本上来说是核心芯片DRAM的问题。由于HBM结构是将多个DRAM垂直堆叠并连接在一起,因此DRAM的性能与HBM性能息息相关。1a DRAM的性能阻碍了三星电子向英伟达量产供应HBM3E,有消息称,其数据处理速度较其他采用1b DRAM的竞品低。

据知情人士透露,三星正在内部讨论重新设计部分1a DRAM电路的计划,但尚未做出最终决定,因为这一决定需要承受各种风险,如果重新设计,预计至少需要六个月才能完成产品,直到明年第二季度才能实现量产。即使重新设计顺利完成,考虑到市场情况,实际上也很难按时供应产品。

另有相关人士表示,即使日程晚了,到底是尝试进入HBM3E供应链,还是事实上放弃HBM3E,取决于1a DRAM改造与否。三星电子DS部门负责人全永铉也认识到了这些问题,相信不久后会有更多进一步的相关信息。

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