编辑:Andy 发布:2024-10-29 15:48
据业界消息,三星电子最新存储芯片发展路线图显示,该司计划最早在2026年生产至少400层单元垂直堆叠的垂直NAND,以最大限度提高容量和性能。
三星电子计划采用新型键合技术,在不同的晶圆上分别创建单元和外围设备,然后进行键合。这种方法将实现具有大存储容量和出色散热性能的“超高”NAND 堆栈,非常适合用于 AI 数据中心的超高容量SSD。这款芯片被称为 Bonding Vertical NAN D Flash,简称 BV NAND,其单位面积的位密度将提高1.6倍。
三星电子计划于2027年推出V11 NAND,进一步发展其堆叠技术,数据输入和输出速度将提高 50%。其目标是到2030年开发超过1,000层的NAND芯片, 以实现更高的密度和存储能力。
SK海力士也已开始研发400层NAND Flash,目前正在开发工艺技术和设备,其目标是明年年底可以实现大规模生产,预计2026年上半年实现全面量产。
铠侠曾在其技术路线图中表示,3D NAND层数以每年1.33倍的增长率,到2027年将可达到1,000层的水平,NAND芯片密度将达到100 Gbit/mm²。
今年以来,随着存储原厂NAND制程相继迭代,200层以上NAND的供应增加,高密度NAND在市场应用中逐步取得进展:
三星236层V8 TLC NAND产能放量增长,同时290层V9 TLC/QLC NAND开始量产;
SK海力士扩大238层NAND在企业级SSD的应用,并推出321层NAND Flash;
铠侠及西部数据推动218层BiSC8 NAND加速在OEM厂商的导入,采用BiSC8和CMOS键合技术生产的2Tb QLC NAND已开始送样;
美光量产276层G9 TLC NAND,并已在面向客户端OEM的SSD中采用。
来源:CFM闪存市场
存储原厂 |
三星电子 | 59100 | KRW | -0.84% |
SK海力士 | 195000 | KRW | +2.47% |
美光科技 | 104.080 | USD | -3.79% |
英特尔 | 22.300 | USD | -2.62% |
西部数据 | 67.020 | USD | -1.87% |
南亚科 | 42.30 | TWD | 0.00% |
华邦电子 | 19.25 | TWD | +0.26% |
主控厂商 |
群联电子 | 471.5 | TWD | +0.75% |
慧荣科技 | 56.010 | USD | -3.15% |
美满科技 | 82.800 | USD | -2.44% |
点序 | 57.1 | TWD | -0.87% |
国科微 | 69.82 | CNY | -0.61% |
品牌/模组 |
江波龙 | 87.73 | CNY | -1.49% |
希捷科技 | 99.790 | USD | -1.52% |
宜鼎国际 | 258.5 | TWD | +0.39% |
创见资讯 | 96.4 | TWD | +1.47% |
威刚科技 | 85.7 | TWD | +1.42% |
世迈科技 | 15.620 | USD | -1.88% |
朗科科技 | 23.05 | CNY | -0.77% |
佰维存储 | 62.92 | CNY | -0.91% |
德明利 | 84.14 | CNY | -1.71% |
大为股份 | 12.14 | CNY | -0.08% |
封测厂商 |
华泰电子 | 39.00 | TWD | -4.29% |
力成 | 126.5 | TWD | +0.40% |
长电科技 | 38.26 | CNY | -0.93% |
日月光 | 157.0 | TWD | -0.95% |
通富微电 | 24.56 | CNY | +5.18% |
华天科技 | 12.81 | CNY | -0.77% |
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