旺宏将于第四季度推出3D NOR Flash，目标应用于车用、5G 和工规等领域，预计明年开始接单出货，但初期订单可能并非来自大型客户，销量不大。

铠侠历史上的最高营收记录为2021年的1兆5,265亿日元，而最高营业利润记录为2017年的4,568亿日元，本财年的营业利润预计将创下史上次高记录。

在 Flash 产品市场中，部分汽车、医疗及消费市场的客户第二季度需求环比增长，512Mb、1Gb 等大容量NOR Flash 产品市场销售有所提升。

三星电子和SK海力士即将开始在韩国国内外进行包括实习生、新员工和经验丰富员工在内的各种类型的招聘，以确保半导体人才。

报告期末，东芯股份存货的账面价值为89,736.52 万元，占总资产的比例为 23.92%，与上年末相比增长18.62%。报告期末形成存货跌价准备余额29,461.21万元。

FSM成立于2020年3月，由富士通半导体分拆出来，提供以高性能、高品质FeRAM（铁电存储器）为核心的存储器产品和解决方案。

报道称，三星电子最初计划在未来十年内购买三台以上的下一代产品，即 EXE:5200、EXE:5400 和 EXE:5600。但三星最新决定仅引进EXE:5200，并将在未来重新考虑引进后续版本。

业界预计Solidigm将于明年下半年上市。NAND市场已转为向好趋势，且KIOXIA也正在积极寻求上市，因此预计Solidigm将加快上市准备工作。

HBM4测试产品预计最早明年发布，从流片到最终测试产品出来需耗时3-4个月时间，三星将在验证最初生产的HBM4产品的运行情况后，继续进行设计和工艺改进，然后再对主要客户进行产品送样。

报道称，SK海力士正在加速开发用于尖端存储器的Hi-NA EUV技术，首台Hi-NA EUV设施计划于2026年从ASML引进，目前SK海力士正在全力建立新的研发团队并扩充人员。

韩国晶圆厂设备制造商SFA已经开始在美光位于印度古吉拉特邦的工厂安装部分设备，该厂是美光在印度的第一家工厂，投资额约8亿美元，用于建立半导体组装、测试、标记和封装部门，将于今年年度投入运营。

如果成功的话，据说在不改变节点的情况下，与现有的6F² DRAM 相比，采用4F² 的单元阵列可以将芯片die面积减少30%左右。

在获利方面，因存储现货价格已稳定，不及去年第四季及今年第一季的涨势，获利成长受到限制，法人预期其第三季毛利率恐将再季减3~5个百分点。

从存货变动来看，截至2024年上半年末，聚辰存货账面价值为2.2亿元，占净资产的10.78%，较上年末减少545.44万元。其中，存货跌价准备为4527.14万元，计提比例为17.08%。

此外，消息称三星电子正在考虑将1c DRAM用于HBM4（第6代HBM），计划于明年下半年出货。因此P4很有可能成为下一代HBM生产的前沿基地。