此外，消息称三星电子正在考虑将1c DRAM用于HBM4（第6代HBM），计划于明年下半年出货。因此P4很有可能成为下一代HBM生产的前沿基地。

西部数据近日展示了128TB企业级SSD，采用BiCS8 QLC NAND，外观尺寸为适用于GPU 服务器的 U.2/U.3，主要设计用于快速 AI 数据湖和容量密集型性能应用程序。

在主要的NOR Flash产品线慢慢回到疫前水准下，旺宏电子上下半年营收有望呈现过往的4:6分布。旺宏将维持产能不满载也不减产，平稳生产。

三星电子官员表示：“正如我们上个月在电话会议中所说的那样，质量测试一直在进行中，而且从那时起就没有任何变化。”

价格更正：本月服务器内存条DDR4 RDIMM 16GB 3200/DDR4 RDIMM 32GB 3200/DDR4RDIMM 64GB 3200价格更正为54/88/165美元，与上月持平。

业界认为，如果美国收紧出口管制，将对三星电子产生重大影响。目前三星HBM 销售额中占比30%由中国公司贡献。

NVMe 5016控制器可支持QLC、TLC以及MLC NAND，提供强大的纠错码 (ECC)。所有闪存管理操作均在芯片上执行，几乎不占用主机处理和内存资源。

单个3D X-AI芯片包含300层3D DRAM单元，容量为128GB，以及一层包含8,000 个神经元的神经电路。据 NEO 估计，每个芯片可支持高达 10 TB/s 的 AI 处理吞吐量。使用 12 个 3D X-AI 芯片与 HBM 封装堆叠可实现 120 TB/s 的处理吞吐量，从而将性能提高 100 倍。

FADU表示，这份供应合同意义重大，意味着该司客户群从大型科技公司、SSD模组厂、NAND原厂扩展到服务器公司。

韩国业界认为，这一供应具有重要意义，韩国设备厂向日本芯片厂商供应设备的案例并不多，日本半导体行业更青睐国产设备。

SK海力士正计划使用“混合键合”来实现400级NAND。具体来说，即采用“晶圆到晶圆（W2W）”技术，该技术涉及将两个晶圆直接键合在一起。

计算机、消费性电子及通讯相关新应用带动终端需求成长，NOR Flash订单状况好转，已回升至2022年水平，下半年等市场恢复，价格应可回升。

K2工厂原计划是2023年完工并稼动，投产后，整体北上工厂产能将扩增至现有产能的近2倍。此前由于存储市况不佳，该工厂延期至2024年完工。

晶豪科技表示，现阶段的关键在于下半年消费性需求是否能回升，以在手订单观察第三季营运，终端销量呈现小幅成长，预期营收表现可大致持稳。

G.SKILL宣布新款 Trident Z5 Royal Neo系列推出了超低延迟规格的 DDR5-6000 CL28-36-36-96 32 GB（2x16GB）和 64 GB（2x32GB）套装容量，以及 DDR5-6000 CL28-38-38-96 48 GB（2x24GB）和 96 GB（2x48GB）套装容量，专为兼容 AMD AM5平台而设计。