权威的存储市场资讯平台English

消息称三星拟引进新设备提高HBM良率

编辑:Andy 发布:2024-09-27 11:28

据韩国业内人士称,三星电子已订购可将HBM所需DRAM芯片质量分为最多三个级别的设备(分选机),这是半导体行业首次尝试在制作HBM之前检查和划分DRAM,三星电子引入这一额外选择流程的主要原因是为客户提供定制化HBM,同时还能提高良率和生产速度。

HBM通过垂直堆叠DRAM制造而成。在前工序中制作DRAM晶圆时,会经过将其切割成芯片的过程,然后进行键合以堆叠芯片。在这两个过程之间引入新设备,在电特性测试(EDS)后根据芯片性能将DRAM芯片分为最多三个级别:S级、A级、B级。

由于HBM规格可以细分,因此可以为NVIDIA等优先考虑性能的公司提供S级HBM,为对价格敏感的客户提供B级HBM。

此前,芯片筛选和堆叠工作是在键合设备内完成的。即使芯片是由同一片晶圆制成的,键合设备也会堆叠符合良好质量标准的芯片,并过滤掉不符合良好质量标准的芯片,并将其被丢弃。在这种情况下,即使是合格的芯片,由于质量不一,实际上也不可能制造出性能最高的HBM,性能较低的芯片则全部被丢弃。

新设备在提高良率和生产速度方面也很有效。新设备能够将精选的芯片垂直安装在载体上,因此在切割过程中产生的颗粒可以被轻松去除,这些颗粒是降低DRAM堆叠良率的主要原因;芯片筛选和异物去除分别进行,由此可以提高键合工艺的速度。此前由于担心在键合机内出现异物,放置和堆叠芯片的工艺不得不相对缓慢地进行,但新设备解决了这一问题。

预计新设备将于明年交付给三星电子,新工艺将逐步导入。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

本文标签:

股市快讯 更新于: 12-23 01:18,数据存在延时

存储原厂
三星电子53000KRW-0.19%
SK海力士168500KRW-3.71%
铠侠1705JPY-0.87%
美光科技90.120USD+3.48%
西部数据60.240USD+1.04%
南亚科30.40TWD-4.55%
华邦电子15.00TWD-4.46%
主控厂商
群联电子464.0TWD-0.85%
慧荣科技53.900USD+1.26%
联芸科技42.85CNY+4.03%
点序45.00TWD-7.12%
国科微73.63CNY+2.04%
品牌/模组
江波龙95.26CNY+2.08%
希捷科技87.310USD-0.26%
宜鼎国际210.5TWD+0.24%
创见资讯89.0TWD-2.20%
威刚科技78.9TWD-1.38%
世迈科技18.510USD+0.82%
朗科科技22.83CNY+0.84%
佰维存储67.64CNY+5.87%
德明利92.40CNY+4.29%
大为股份13.08CNY+4.22%
封测厂商
华泰电子34.00TWD-1.45%
力成121.5TWD+0.41%
长电科技39.98CNY+2.86%
日月光157.5TWD-2.17%
通富微电30.18CNY+2.86%
华天科技12.20CNY+1.50%