编辑:Andy 发布:2024-09-27 11:28
据韩国业内人士称,三星电子已订购可将HBM所需DRAM芯片质量分为最多三个级别的设备(分选机),这是半导体行业首次尝试在制作HBM之前检查和划分DRAM,三星电子引入这一额外选择流程的主要原因是为客户提供定制化HBM,同时还能提高良率和生产速度。
HBM通过垂直堆叠DRAM制造而成。在前工序中制作DRAM晶圆时,会经过将其切割成芯片的过程,然后进行键合以堆叠芯片。在这两个过程之间引入新设备,在电特性测试(EDS)后根据芯片性能将DRAM芯片分为最多三个级别:S级、A级、B级。
由于HBM规格可以细分,因此可以为NVIDIA等优先考虑性能的公司提供S级HBM,为对价格敏感的客户提供B级HBM。
此前,芯片筛选和堆叠工作是在键合设备内完成的。即使芯片是由同一片晶圆制成的,键合设备也会堆叠符合良好质量标准的芯片,并过滤掉不符合良好质量标准的芯片,并将其被丢弃。在这种情况下,即使是合格的芯片,由于质量不一,实际上也不可能制造出性能最高的HBM,性能较低的芯片则全部被丢弃。
新设备在提高良率和生产速度方面也很有效。新设备能够将精选的芯片垂直安装在载体上,因此在切割过程中产生的颗粒可以被轻松去除,这些颗粒是降低DRAM堆叠良率的主要原因;芯片筛选和异物去除分别进行,由此可以提高键合工艺的速度。此前由于担心在键合机内出现异物,放置和堆叠芯片的工艺不得不相对缓慢地进行,但新设备解决了这一问题。
预计新设备将于明年交付给三星电子,新工艺将逐步导入。
存储原厂 |
三星电子 | 64700.00 | KRW | +4.02% |
SK海力士 | 180900.00 | KRW | +9.44% |
美光科技 | 109.880 | USD | +14.73% |
英特尔 | 23.920 | USD | +1.61% |
西部数据 | 70.460 | USD | +6.76% |
南亚科 | 47.35 | TWD | +0.11% |
华邦电子 | 20.90 | TWD | +0.72% |
主控厂商 |
群联电子 | 513.00 | TWD | +1.99% |
慧荣科技 | 61.470 | USD | +7.67% |
美满科技 | 73.450 | USD | +3.19% |
点序 | 65.40 | TWD | +9.92% |
国科微 | 52.77 | CNY | +11.52% |
品牌/模组 |
江波龙 | 75.50 | CNY | +7.80% |
希捷科技 | 110.760 | USD | +2.78% |
宜鼎国际 | 293.50 | TWD | +1.21% |
创见资讯 | 101.00 | TWD | +0.50% |
威刚科技 | 91.40 | TWD | +2.01% |
世迈科技 | 21.150 | USD | +6.39% |
朗科科技 | 18.93 | CNY | +7.92% |
佰维存储 | 51.22 | CNY | +8.52% |
德明利 | 75.50 | CNY | +7.87% |
大为股份 | 10.58 | CNY | +5.59% |
封测厂商 |
华泰电子 | 40.00 | TWD | -1.84% |
力成 | 140.50 | TWD | +1.08% |
长电科技 | 32.00 | CNY | +4.51% |
日月光 | 162.50 | TWD | +2.52% |
通富微电 | 21.10 | CNY | +6.24% |
华天科技 | 8.55 | CNY | +7.01% |
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