HBM4测试产品预计最早明年发布，从流片到最终测试产品出来需耗时3-4个月时间，三星将在验证最初生产的HBM4产品的运行情况后，继续进行设计和工艺改进，然后再对主要客户进行产品送样。

报道称，SK海力士正在加速开发用于尖端存储器的Hi-NA EUV技术，首台Hi-NA EUV设施计划于2026年从ASML引进，目前SK海力士正在全力建立新的研发团队并扩充人员。

韩国晶圆厂设备制造商SFA已经开始在美光位于印度古吉拉特邦的工厂安装部分设备，该厂是美光在印度的第一家工厂，投资额约8亿美元，用于建立半导体组装、测试、标记和封装部门，将于今年年度投入运营。

如果成功的话，据说在不改变节点的情况下，与现有的6F² DRAM 相比，采用4F² 的单元阵列可以将芯片die面积减少30%左右。

在获利方面，因存储现货价格已稳定，不及去年第四季及今年第一季的涨势，获利成长受到限制，法人预期其第三季毛利率恐将再季减3~5个百分点。

从存货变动来看，截至2024年上半年末，聚辰存货账面价值为2.2亿元，占净资产的10.78%，较上年末减少545.44万元。其中，存货跌价准备为4527.14万元，计提比例为17.08%。

此外，消息称三星电子正在考虑将1c DRAM用于HBM4（第6代HBM），计划于明年下半年出货。因此P4很有可能成为下一代HBM生产的前沿基地。

西部数据近日展示了128TB企业级SSD，采用BiCS8 QLC NAND，外观尺寸为适用于GPU 服务器的 U.2/U.3，主要设计用于快速 AI 数据湖和容量密集型性能应用程序。

在主要的NOR Flash产品线慢慢回到疫前水准下，旺宏电子上下半年营收有望呈现过往的4:6分布。旺宏将维持产能不满载也不减产，平稳生产。

三星电子官员表示：“正如我们上个月在电话会议中所说的那样，质量测试一直在进行中，而且从那时起就没有任何变化。”

价格更正：本月服务器内存条DDR4 RDIMM 16GB 3200/DDR4 RDIMM 32GB 3200/DDR4RDIMM 64GB 3200价格更正为54/88/165美元，与上月持平。

业界认为，如果美国收紧出口管制，将对三星电子产生重大影响。目前三星HBM 销售额中占比30%由中国公司贡献。

NVMe 5016控制器可支持QLC、TLC以及MLC NAND，提供强大的纠错码 (ECC)。所有闪存管理操作均在芯片上执行，几乎不占用主机处理和内存资源。

单个3D X-AI芯片包含300层3D DRAM单元，容量为128GB，以及一层包含8,000 个神经元的神经电路。据 NEO 估计，每个芯片可支持高达 10 TB/s 的 AI 处理吞吐量。使用 12 个 3D X-AI 芯片与 HBM 封装堆叠可实现 120 TB/s 的处理吞吐量，从而将性能提高 100 倍。

FADU表示，这份供应合同意义重大，意味着该司客户群从大型科技公司、SSD模组厂、NAND原厂扩展到服务器公司。