根据主流CPU厂商公布的最新产品路线图，其支持内存速率6400MT/S的新一代服务器CPU平台计划于明年发布，因此，DDR5第三子代RCD芯片将跟随该CPU平台的发布而开始规模出货。

美光日本广岛工厂将在2025年生产最先进存储产品「1γ」DRAM。此外，还计划在广岛工厂生产生成式AI用「HBM」。

大普微电子（DapuStor）PCIe 5.0 NVMe SSD产品Haishen5系列完成与Intel VMD – VROC的联合测试，通过了Intel VROC 8.0的认证。此外大普微全线PCIe 4.0 SSD也已完成认证。

CMM是CXL Memory Module的缩写，是国际半导体标准化组织JEDEC制定的基于CXL的内存规范。在三星内部，CXL 通常称为 CMM。

高品质NOR Flash市场需求已开始回温。不过，在总体经济不佳的影响下，客户库存去化时间递延，库存消耗量能低于预期，其中以大陆与日本市场的状况较为严重。

预计明年的营业利润将大幅超出市场预期，录得38.4万亿韩元（约合293.6亿美元），较今年增长378%。

今年以来兆易创新新获得专利授权40个，较去年同期减少了47.37%。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了4.77亿元，同比减4.07%。

十铨指出，随着供应商持续减产，DRAM及NAND Flash价格已逐步回升，未来将即时弹性调整库存水位因应，2024年营运将聚焦于扩大品牌市占率。

中国移动日前公示了2023年至2024年SSD硬盘AVAP合作商第一批次引入项目采购包2-采购包5的中标候选人，忆联、浪潮、大唐存储、海康等9家入围。

就GPU本身制造而言，英伟达的主要合作伙伴是台积电；但在封装工作环节，英伟达同时使用台积电、三星、Amkor的服务。

恒烁股份NOR Flash产品覆盖 1Mb～256Mb等多种容量，可满足客户大中小容量的需求，目前中大容量产品销售占比要比小容量产品更多。

业界分析，三星电子有望首次在 Galaxy S24 中安装创新内存 LLW（低延迟宽 I/O）DRAM，以支持“设备上人工智能”。Galaxy S24将于明年第一季度发布。

该加速器包括具有内置 CXL 3.0 控制器、CXL 交换和端点的加速器芯片。它们与所有 CXL 协议完全兼容，例如 CXL.io、CXL.cache 和 CXL.mem。

Yesti 提供的设备是一种晶圆加压设备，应用于 HBM 工艺之一的“底部填充”阶段。

据韩媒报道，SK海力士正准备推出“2.5D扇出”封装作为其下一代存储半导体技术，并集成到继HBM之后的下一代DRAM技术中。