HBM3E 12层预计将成为下半年AI半导体市场的最大竞争点，三星电子和SK海力士等内存企业的竞争愈发激烈。三星电子需要迅速通过英伟达的质量验证以确保下半年的产品供应，而SK海力士也计划在第三季度量产HBM3E 12层产品。美光科技也在准备明年量产HBM3E 12层产品，以应对市场需求。

德明利2024年半年度研发费用约为7,600万元，上年同期为4,172.86万元。

产品研发方面，旺宏电子3D NOR Flash已于去年完成芯片测试，其中4Gb产品进度最快，预计今年下半年进入市场，并于明年量产。

十铨认为，DDR4产品因第三季零售渠道需求看季持平，预期将维持现有价格水准，而DDR5由于原厂供给量不足，价格仍会持续微幅上扬。

新的 HBM 开发团队预计将解决稳定产量和开发差异化技术的任务，以确保人工智能 (AI) 半导体等关键客户。

Moon Ki-il还表示，HBM目前主要应用于人工智能（AI）系统，但目标也将扩展到移动设备。

据日媒报道，铠侠7月将在四日市工厂开始量产其最先进的218层 3D NAND Flash，与现行产品相比，存储容量提高约50%、写入数据时所需的电力缩减约30%。

据韩媒报道，业界人士透露，三星电子在其第9代V-NAND金属布线工艺中首次使用了钼。目前三星已引进了5台 Lam Research 钼沉积设备，明年还将引进约20台设备。

CFM消息，近期部分厂商向原厂追加了DDR5内存条订单。一段时间以来，服务器领域DDR4与DDR5需求呈现冰火两重天态势：DDR4现货与原厂价格倒挂加上下游终端库存高企，整体需求表现惨淡；DDR5方面，随着AI建设热潮加上英特尔SPR CPU渗透率提高，需求激增，CFM消息，今年下半年服务器ODM对DDR5需求也升至50%，DDR5 64GB及以上需求持续火热，DDR5整体呈现供不应求市况。

随着人工智能、高性能计算和数据中心需求的增长，HBM芯片市场占比显著提升。美光科技和SK海力士的HBM产能已售罄至2025年，三星虽暂时落后，但正加速追赶。HBM4技术预计将带来接口宽度增加、层数提升、功耗降低等变革，满足未来市场需求。

美光科技（Micron）正式进入高带宽存储器（HBM）市场，打破了三星电子和海力士长期以来的主导地位。尽管是后来者，但美光科技已经开始向英伟达（Nvidia）供应少量产品，形成了HBM领域的三足鼎立局面。

SK海力士将在未来5年内投资103万亿韩元（约合747亿美元），加强半导体事业竞争力，计划将约80%（82万亿韩元，约合595亿美元）投资于高带宽存储器（HBM）等AI相关领域。

三星电子自今年年初以来一直对 HBM 进行大规模投资，并开始致力于将国内外现有的传统 DRAM 和 NAND 转化为尖端产品。

关系人士称，铠侠会在8月底提交正式申请、目标10月底上市，而为了赶上期限、正以比一般IPO更快的速度进行准备，但视进度而定、IPO时间有可能会推延至12月。铠侠此次IPO所能筹得的资金可能会低于2020年的预估值。

据韩媒报道，业界人士透露，韩国NAND闪存材料供应商供应量较去年增加了约2-3倍。去年，由于需求低迷，三星电子和SK海力士将NAND工厂的开工率降至20-30%，受AI数据中心对大容量NAND需求的推动，今年开工率已上升至70%以上。